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    如图所示的电路中，电源电压不变，只闭合开关S1时，电压表V1与V2的示数之比为3∶2；只闭合开关S2时，电压表V1与 V2的示数之比为5∶3，则R1与R2的电阻之比为
    A．3∶5B．2∶3C．4∶3D．5∶3
    C

    试题分析：只闭合开关S1时，等效电路如图a所示；只闭合开关S2时，等效电路如图b所示.
            
    观察图a可知R1与R0串联，V1测串联电路总电压（即电源电压），V2测R1两端电压，串联电路中电压与电阻成正比，所以结合题意得1，观察图b同理可得2
    解12两式得R1∶R2=4∶3，对照各选项，C正确，选填C。
    练习册系列答案
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    相关习题

    科目：初中物理 来源：不详 题型：单选题

    如图所示的电路中，电源电压是8V，一个最大阻值为50Ω的滑动变阻器与一个阻值是50Ω的电阻串联后，闭合开关S。当滑片P从向移动的过程中，电压表示数的变化范围是
    A．0.8VB．8V～3V C．0V～4V D．4V～8V

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    科目：初中物理 来源：不详 题型：计算题

    图是某电热烘干箱的简化电路图，S是温探开关，电源电压为220V，R1是发热电阻丝，R2是阻值为110Ω的电阻。开关S接“2”时是高温挡，R1的电功率是110W；开关S接“1”时是低温挡。试求：

    （1）R1的阻值是多大？  
    （2）低温挡时，电路中的电流是多大？
    （3）高温挡时，通电10min，R1消耗的电能是多少？

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    科目：初中物理 来源：不详 题型：单选题

    在图所示的电路中，电源电压保持不变。闭合电键S，当滑动变阻器的滑片P向右移动时，则                                                            
    A．电流表A示数与电流表A1示数的差值变大
    B．电流表A示数与电流表A1示数的比值变大
    C．电压表V示数与电流表A示数的乘积变大
    D．电压表V示数与电流表A1示数的乘积变大

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    科目：初中物理 来源：不详 题型：单选题

    如图所示的电路，电源电压恒定，开关S1闭合，S2断开．要使电压表和电流表的示数均增大，下列操作一定可行的是（　　）
    A．滑动变阻器的滑片P向右移
    B．滑动变阻器的滑片P向左移
    C．滑动变阻器的滑片P不动，S1由闭合到断开
    D．滑动变阻器的滑片P不动，S2由断开到闭合

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    科目：初中物理 来源：不详 题型：计算题

    小华同学为探究水流对不同形状物体的冲击力，设计了一个实验装置，如图甲所示。电源电压保持3Ｖ不变，电流表量程为0～1A，电阻不计，粗细均匀的电阻丝MN全长12㎝，总电阻为9Ω，它的阻值与其接入电路的长度成正比。水平光滑杆AB上套有弹簧，弹簧弹力与其伸长量x的关系如图乙所示，弹簧左端固定，右端连接有滑块，滑块与滑片P、物体Q通过硬杆相连。滑片与电阻丝始终保持良好接触。水流冲击力为零时，滑片P刚好与电阻丝左端相接触，此时电流表满偏。测量时，滑块稳定后，小华通过电流表示数可计算出物体受到的水流冲击力大小。

    （1）电阻R0的阻值为多少？
    （2）当电流表读数为0.5A时，物体所受的冲击力大小为多少？

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    科目：初中物理 来源：不详 题型：单选题

    如图，电源电压恒为4.5 V，灯泡L标有“3 V 0.9 W”字样，在不损坏电路元件的情况下，下列判断正确的是
    A．该电路的最大功率是1.35W
    B．滑动变阻器的阻值可以调到零
    C．滑片向左移动时，电压表示数变大
    D．滑片向右移动时，灯泡消耗的功率变大

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    科目：初中物理 来源：不详 题型：填空题

    如图所示，电源电压为12V，灯泡上标有“12V  12W”，ae和bf是同种型号电阻丝，每1m的电阻均为0.5Ω，其他导线的电阻不计，c、d两点始终保持与电阻丝良好接触。设ac与bd长度均为3m，那么，小灯泡两端的电压为     V，两电阻丝在100s内产生的热      J。当 c、d两点向右移动时，灯泡的亮度将     。（设灯泡的电阻不随温度而变化）

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    科目：初中物理 来源：不详 题型：实验题

    阅读短文，回答问题：
    巨磁电阻效应
    1988年阿尔贝·费尔和彼得·格林贝格尔发现，在铁、铬相间的三层复合膜电阻中（如图甲），微弱的磁
    场可以导致电阻大小的急剧变化，这种现象被命名为“巨磁电阻效应”．
    更多的实验发现，并非任意两种不同种金属相间的三层膜都具有“巨磁电阻效应”．组成三层膜的两
    种金属中，有一种是铁、钴、镍这三种容易被磁化的金属中的一种，另一种是不易被磁化的其他金属，才可能产生“巨磁电阻效应”．
    进一步研究表明，“巨磁电阻效应”只发生在膜层的厚度为特定值时．用R0表示未加磁场时的电阻，R表示加入磁场后的电阻，科学家测得铁、铬组成的复合膜R与R0之比与膜层厚度d（三层膜厚度均相同）的关系如乙图所示．
    1994年IBM公司根据“巨磁电阻效应”原理，利用铁、铬组成的复合膜研制出“新型读出磁头”，将磁场对复合膜阻值的影响转换成电流的变化来读取信息．

    （1）以下两种金属组成的三层复合膜可能发生“巨磁电阻效应”的是     
    A．铜、银B．铁、铜C．铜、铝D．铁、镍
    （2）对铁、铬组成的复合膜，当膜层厚度是2.2nm时，这种复合膜电阻    （选填“具有”或“不具有”）“巨磁电阻效应”．
    （3）丙图是硬盘某区域磁记录的分布情况，其中1表示有磁区域，0表示无磁区域，将“新型读出磁头”组成如图所示电路，当磁头从左向右匀速经过该区域过程中，电流表读数变化情况应是丁图中的     ．

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