将光敏电阻R.定值电阻R0.电流表.电压表.开关和电源连接成如图所示电路.光敏电阻的阻值随光照强度的增大而减小.闭合开关.逐渐增大光敏电阻的光照强度.观察电表示数的变化情况应该是A．A表示数变大.V表示数变小B．A表示数变小.V表示数变大C．A表和V表示数均变小D．A表和V表示数均变大题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

将光敏电阻R、定值电阻R₀、电流表、电压表、开关和电源连接成如图所示电路，光敏电阻的阻值随光照强度的增大而减小。闭合开关，逐渐增大光敏电阻的光照强度，观察电表示数的变化情况应该是（）

A．A表示数变大，V表示数变小	B．A表示数变小，V表示数变大
C．A表和V表示数均变小	D．A表和V表示数均变大

解析试题分析：据图可知，两电阻串联，电压表测量定值电阻两端的电压，当增大光敏电阻的光照强度时，光敏电阻的阻值变小，所以串联电路的总电阻变小，根据欧姆定律I=U/R可知，电路的电流变大，即电流表示数变小所以B、C错误；
根据U₂=IR₂可知，当电流变大时，R₂两端的电压变大，即电压表示数变大，所以A错误，D正确；
所以选择D。
考点：串联电路的电流、电压、电阻规律欧姆定律及其应用

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根据电路图将下图中的实物连成电路.

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（10分）阅读短文，回答问题：
巨磁电阻效应
1988年阿尔贝·费尔和彼得·格林贝格尔发现，在铁、铬相间的三层复合膜电阻中，微弱的磁场可以导致电阻大小的急剧变化，这种现象被命名为“巨磁电阻效应”．
更多的实验发现，并非任意两种不同种金属相间的三层膜都具有“巨磁电阻效应”．组成三层膜的两种金属中，有一种是铁、钴、镍这三种容易被磁化的金属中的一种，另一种是不易被磁化的其他金属，才可能产生“巨磁电阻效应”．进一步研究表明，“巨磁电阻效应”只发生在膜层的厚度为特定值时．用R₀表示未加磁场时的电阻，R表示加入磁场后的电阻，科学家测得铁、铬组成的复合膜R与R₀之比与膜层厚度d（三层膜厚度均相同）的关系如乙图所示．1994年IBM公司根据“巨磁电阻效应”原理，研制出“新型读出磁头”，将磁场对复合膜阻值的影响转换成电流的变化来读取信息．

（1）以下两种金属组成的三层复合膜可能发生“巨磁电阻效应”的是．

A．铜、银

B．铁、铜

C．铜、铝

D．铁、镍

（2）对铁、铬组成的复合膜，当膜层厚度是1.7nm时，这种复合膜电阻      （选填“具
有”或“不具有”）“巨磁电阻效应”．
（3）“新型读出磁头”可将微弱的        信息转化为电信息．
（4）铁、铬组成的复合膜，发生“巨磁电阻效应”时，其电阻R比未加磁场时的电阻R₀         （选填
“大”或“小”）得多．
（5）丙图是硬盘某区域磁记录的分布情况，其中1表示有磁区域，0表示无磁区域．将“新型读出磁头”组成如图所示电路，当磁头从左向右匀速经过该区域过程中，电流表读数变化情况应是丁图中的       ．