Question

下表是元素周期表的一部分，表中所列的字母分别代表一种化学元素．

试回答下列问题：
（1）请写出元素O的外围电子排布式

 

．
（2）由j原子跟c原子以1：1相互交替结合而形成的晶体，晶型与晶体j相同．两者相比熔点更高的是

 

（填化学式），试从结构角度加以解释

 

．
（3）i单质晶体中原子的堆积方式如下图甲所示，其晶胞特征如下图乙所示，原子之间相互位置关系的平面图如图丙所示．
 
请回答：晶胞中i原子的配位数为

 

，一个晶胞中i原子的数目为

 

．

Answer 1

考点：元素周期律和元素周期表的综合应用

专题：元素周期律与元素周期表专题

分析：由元素所在周期表中的位置可知，a为H，b为Li，c为C，d为N，e为O，f为F，g为Na，h为Mg，i为Al，j为Si，k为S，l为Cl，m为Ar，n为K，o为Fe，
（1）由元素所在周期表中的位置可知，O位于第四周期ⅤⅢ族第一列，O为Fe，外围电子排布式3d⁶4s²；
（2）SiC和晶体Si均属于原子晶体，原子晶体的熔沸点取决于共价键的强度，由于C的原子半径小，SiC中C-Si键键长比晶体Si中Si-Si键长短，键能大，因而熔沸点高；
（3）该类型为面心立方最密堆积，配位数=3×

1

2

×8=12，由图2可知占据顶点和面心，则一个晶胞中Al原子的个数为8×

1

8

+6×

1

2

=4．

解答： 解：（1）由元素所在周期表中的位置可知，O位于第四周期ⅤⅢ族第一列，O为Fe，外围电子排布式3d⁶4s²，
故答案为：3d⁶4s²；
（2）SiC和晶体Si均属于原子晶体，原子晶体的熔沸点取决于共价键的强度，由于C的原子半径小，SiC中C-Si键键长比晶体Si中Si-Si键长短，键能大，因而熔沸点高，
故答案为：SiC； 因SiC晶体与晶体Si都是原子晶体，由于C的原子半径小，SiC中C-Si键键长比晶体Si中Si-Si键长短，键能大，因而熔沸点高；
（3）根据图片知，Al单质为面心立方最密堆积，配位数=3×

1

2

×8=12，由图2可知占据顶点和面心，则一个晶胞中Al原子的个数为8×

1

8

+6×

1

2

=4，
故答案为：12；4．

点评：本题考查物质结构与性质，涉及元素周期表、核外电子排布规律、分子结构与性质、晶体类型与性质等，难度中等，侧重考查学生对知识运用、分析解决问题能力，注意利用“均摊法”进行晶胞中粒子个数的计算．