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Ga和As在一定条件下可以合成GaAs,GaAs是一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越.多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐,其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等.
(1)Ga在元素周期表的位置是______,As的原子结构示意图______.
(2)Ga的原子核外电子排布式为:______.
(3)GaCl3和AsF3的空间构型分别是:GaCl3______,AsF3______.
(4)第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC,其结构跟金刚石相似,则SiC属于______晶体,并写出其主要的物理性质______  (任2种).
(5)第一电离能:As______Se(填“>”、“<”或“=”).
(6)硫化锌的晶胞中(结构如图所示),硫离子的配位数是______.
(7)二氧化硒分子的空间构型为______,写出它的1个等电子体的分子式______.
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(1)Ga原子的原子结构示意图中,有四个电子层,最外层有3个电子,所以其属于第四周期第IIIA族,As是33号元素,其原子结构示意图为

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故答案为:第四周期第IIIA族,

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 (2)Ga是31号元素,所以Ga的原子核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1
故答案为:1s22s22p63s23p63d104s24p1
(3)GaCl3中价层电子对个数=3+
1
2
(3-3×1)=3,且没有孤电子对,所以其空间构型是平面三角形结构;
AsF3中价电子对个数=3+
1
2
(5-3×1)=4,有一个孤电子对,所以其空间构型是三角锥形;
故答案为:平面三角形,三角锥;
(4)SiC的结构跟金刚石相似,金刚石是原子晶体,则碳化硅是原子晶体,原子晶体的熔点高、硬度大;
故答案为:原子,硬度大、熔点高;
(5)同一周期中,第VA族元素第一电离能大于第VIA元素,As 和Se属于同一周期,As是第VA元素,Se是第VIA元素,所以第一电离能As>Se;
故答案为:>;
(6)根据图片知,每个S离子连接4个Zn离子,所其配位数是4;
故答案为:4;
(7)二氧化硒分子中价电子对个数=2+
1
2
(6-2×2)=3,含有一个孤电子对,所以其空间构型是V形,等电子体中含有相同的价电子数且原子个数相等,如果把硒原子换成氧原子或硫原子,二氧化硒变成臭氧或二氧化硫,其价电子数和原子个数都相等,所以是等电子体;
故答案为:V形,O3(或SO2).
练习册系列答案
相关习题

科目:高中化学 来源: 题型:

第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.试回答:
(1)Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为
1s22s22p63d104s24p1
1s22s22p63d104s24p1

(2)下列说法正确的是
AC
AC
(选填序号).
A.砷和镓都属于p区元素   B.GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C.电负性:As>Ga        D.第一电离能Ga>As
(3)GaAs是由(CH33Ga和AsH3在一定条件下制得,同时得到另一物质,该物质分子是
非极性分子
非极性分子
(填“极性分子”或“非极性分子”).(CH33Ga中镓原子的杂化方式为
sp2
sp2

(4)如图立方体中心的“●”表示硅晶体中的一个原子,请在立方体的顶点用“●”表示出与之紧邻的硅原子.

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科目:高中化学 来源: 题型:

Ga和As在一定条件下可以合成GaAs,GaAs是一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越.多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐,其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等.
(1)Ga在元素周期表的位置是
第四周期第IIIA族
第四周期第IIIA族
,As的原子结构示意图

(2)Ga的原子核外电子排布式为:
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1

(3)GaCl3和AsF3的空间构型分别是:GaCl3
平面三角形
平面三角形
,AsF3
三角锥形
三角锥形

(4)第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC,其结构跟金刚石相似,则SiC属于
原子
原子
晶体,并写出其主要的物理性质
硬度大、熔点高
硬度大、熔点高
  (任2种).
(5)第一电离能:As
Se(填“>”、“<”或“=”).
(6)硫化锌的晶胞中(结构如图所示),硫离子的配位数是
4
4

(7)二氧化硒分子的空间构型为
V形
V形
,写出它的1个等电子体的分子式
O3(或SO2
O3(或SO2

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科目:高中化学 来源:2011届江苏省盐城中学高三第一次模拟考试化学试卷 题型:填空题

Ⅰ.第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。试回答:
(1)Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为                          
(2)下列说法正确的是            (选填序号)。
A.砷和镓都属于p区元素   B.GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C.电负性:As>Ga                  D.第一电离能Ga>As
(3)GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得,同时得到另一物质,该物质分子是  (填“极性分子”或“非极性分子”)。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为        
Ⅱ.氧化钙晶体的晶胞如图所示,试回答:

(1)晶体中Ca2+的配位数为             
(2)已知Ca2+的半径为a cm,O2-的半径为b cm,NA代表阿伏加德罗常数,
该晶体的密度为         g/cm3。(用含a、b、NA的代数式表示)

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科目:高中化学 来源:2010-2011学年江苏省高三第一次模拟考试化学试卷 题型:填空题

Ⅰ.第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。试回答:

(1)Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为                          

(2)下列说法正确的是             (选填序号)。

A.砷和镓都属于p区元素    B.GaN、GaP、GaAs均为分子晶体

C.电负性:As>Ga                   D.第一电离能Ga>As

(3)GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得,同时得到另一物质,该物质分子是   (填“极性分子”或“非极性分子”)。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为        

Ⅱ.氧化钙晶体的晶胞如图所示,试回答:

(1)晶体中Ca2+的配位数为             

(2)已知Ca2+的半径为a cm,O2-的半径为b cm,NA代表阿伏加德罗常数,

该晶体的密度为          g/cm3。(用含a、b、NA的代数式表示)

 

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