A. | 向稀HNO3中滴加Na2SO3溶液:SO32-+2H+═SO2↑+H2O | |
B. | 用FeCl3溶液腐蚀铜来制作印刷电路板:2Fe3++Cu═2Fe2++Cu2+ | |
C. | 向Na2SiO3溶液中通入过量SO2:SiO32-+SO2+H2O═H2SiO3↓+SO32- | |
D. | 向Al (SO4)3溶液中加入过量的NH3•H2O:Al3++4NH3•H2O═AlO2-+4NH4++2H2O |
分析 A.稀硝酸能够氧化亚硫酸根离子;
B.氯化铁与铜反应生成硫化铜和氯化亚铁;
C.二氧化碳过量,反应生成亚硫酸氢根离子;
D.氨水为弱碱,二者反应生成氢氧化铝沉淀.
解答 解:A.向稀HNO3中滴加Na2SO3溶液,二者发生氧化还原反应,正确的离子方程式为:2NO3-+3SO32-+2H+═2NO↑+3SO42-+H2O,故A错误;
B.用FeCl3溶液腐蚀铜来制作印刷电路板,反应的离子方程式为:2Fe3++Cu═2Fe2++Cu2+,故B正确;
C.向Na2SiO3溶液中通入过量SO2,反应生成硅酸和亚硫酸氢钠,正确的离子方程式为:SiO32-+2SO2+2H2O═H2SiO3↓+2HSO3-,故C错误;
D.硫酸铝与氨水反应生成氢氧化铝沉淀和硫酸铵,正确的离子方程式为:Al3++3NH3•H2O=Al(OH)3↓+3NH4+,故D错误;
故选B.
点评 本题考查了离子方程式的书写判断,为高考的高频题,题目难度中等,注意明确离子方程式正误判断常用方法:检查反应物、生成物是否正确,检查各物质拆分是否正确,如难溶物、弱电解质等需要保留化学式,检查是否符合原化学方程式等.
科目:高中化学 来源: 题型:解答题
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科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | 2mol/L MgCl2溶液 | B. | 2.5mol/L NaCl溶液 | ||
C. | 1mol/L AlCl3溶液 | D. | 5mol/L KClO3溶液 |
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科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | 100 mL 0.5 mol•L-1MgCl2溶液 | B. | 200 mL 0.25 mol•L-1AlCl3溶液 | ||
C. | 50 mL 1 mol•L-1NaCl溶液 | D. | 25 mL 0.5 mol•L-1HCl溶液 |
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科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | c(HCO3-)略大于c(CO32-) | B. | c(HCO3-)等于c(CO32-) | ||
C. | c(Na+)等于c(CO32-)与c(HCO3-)之和 | D. | c(HCO3-)略小于c(CO32-) |
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科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | 该装置将化学能转化为光能和电能 | |
B. | 该装置工作时,H+从a 极区向b 极区迁移 | |
C. | 每有44 g CO2被还原,则生成标准状况下 33.6 L O2 | |
D. | a 电极的反应为:3CO2+16H+-18e-═C3H8O+4H2O |
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科目:高中化学 来源: 题型:解答题
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科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | $\frac{{K}_{W}}{C({H}^{+})}$=0.1mol/L的溶液中:K+、Fe2+、Cl?、NO-3 | |
B. | 水电离的H+浓度为1×10-12 mol/L的溶液:K+、Ba2+、Cl-、Br- | |
C. | 加入NH4HCO3固体产生气泡的溶液中:Na+、Mg2+、ClO-、S2- | |
D. | 加金属铝能产生氢气的溶液中:Ca2+、NH4+、Cl-、HSO3- |
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科目:高中化学 来源: 题型:多选题
A. | Al2O3 | B. | H2SO3 | C. | H2S | D. | NaHCO3 |
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