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4.n克的H2SO4所含氧原子的物质的量是(  )
A.$\frac{n}{98}$moLB.$\frac{7n}{98}$moLC.$\frac{4n}{98}$moLD.$\frac{4n}{32}$moL

分析 根据n=$\frac{m}{M}$计算出ng硫酸的物质的量,然后结合硫酸的分子式计算出含有氧原子的物质的量.

解答 解:n克的H2SO4的物质的量为:$\frac{ng}{98g/mol}$=$\frac{n}{98}$mol,含有O原子的物质的量为:$\frac{n}{98}$mol×4=$\frac{4n}{98}$mol,
故选C.

点评 本题考查物质的量的计算,题目难度不大,明确物质的量与摩尔质量之间的关系即可解答,试题侧重基础知识的考查,有利于提高学生的化学计算能力.

练习册系列答案
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科目:高中化学 来源: 题型:解答题

13.20世纪50年代科学家提出价层电子对互斥模型(简称VSEPR模型),用于预测简单分子立体结构.其要点可以概括为:分子中价层电子对之间的斥力主要顺序为:i、孤对电子之间的斥力>孤对电子对与共用电子对之间的斥力>共用电子对之间的斥力;ii、双键与双键之间的斥力>双键与单键之间的斥力>单键与单键之间的斥力;iii、X原子得电子能力越弱,A-X形成的共用电子对之间的斥力越强;iv、其他.请仔细阅读上述材料,回答下列问题:
(1)根据价层电子对互斥理论可以推出AXn的VSEPR理想模型,请填写表:
价层电子对4
VSEPR理想模型正四面体形
价层电子对之间的理想键角109°28′
(2)H2S分子的立体构型为:V形,请你推断硫化氢分子中∠H-S-H小于 109°28′(填“大于”或“小于”).

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科目:高中化学 来源: 题型:选择题

14.用NA表示阿伏加德罗常数的值,下列叙述正确的是(  )
A.含有NA个原子的氢气在标准状况下的体积约为22.4 L
B.标准状况下,11.2 L SO3含有的分子数为0.5NA
C.40gNaOH溶解在1L水中,所制得的100 mL溶液中含Na+数为0.1NA
D.25℃、1.01×l05 Pa,64 g SO2中含有的原子数为3NA

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科目:高中化学 来源: 题型:选择题

11.在反应容器中充入1molA气体和n molB气体,在一定条件下发生反应:A(气)+nB(气)?mC(气),达平衡时,测得A的转化率为50%,在相同温度和相同压强下,平衡时混合气体的体积是反应前的$\frac{3}{4}$,则n和m的数值可能是(  )
A.n=1  m=1B.n=2  m=2C.n=3  m=3D.n=2  m=3

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科目:高中化学 来源: 题型:选择题

18.某有机物结构为,以下关于它的叙述正确的是(  )
A.其一氯代物有2种B.其二氯代物有5种
C.其分子式为C10H14D.它常温下为气态

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科目:高中化学 来源: 题型:填空题

9.使用酒精灯应该注意哪些事项酒精量不超过容积的$\frac{2}{3}$,也不宜少于$\frac{1}{2}$;加热时玻璃仪器勿与灯芯接触,要使用温度高的外焰;不“对火”,不“吹灯”;禁止向燃着的酒精灯中添加酒精;熄灭酒精灯用灯帽盖灭.

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科目:高中化学 来源: 题型:计算题

16.小明在实验室电解水,如果电解产生了标准状况下44.8L的氧气,则:
①电解水的质量是多少?
②电解产生另外一种气体的物质的量?

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科目:高中化学 来源: 题型:解答题

13.海水的综合利用对于人类的生产、生话有重要的意义.
(l)海水制盐的方法以蒸发法(盐田法)为主,盐田一般分为贮水池、蒸发池、结晶池三部分;分
离食盐晶体后所得苦卤可以提取氯化镁,然后电解得到金属镁,电解熔融氯化镁的化学方程式为MgCl2 $\frac{\underline{\;通电\;}}{\;}$Mg+Cl2↑.
(2)氯碱工业离子交换膜法生产中,透过离子交换膜的离子为H+、Na+,氢氧化钠在阴极(填
“阳极”或“阴极”)产生
(3)氯化钠为工业制纯碱的主要原料,制碱反应过程中析出NaHCO3的原因是氨气极易溶于水,而二氧化碳微溶于水,先通入氨气,溶液呈碱性,再通入二氧化碳气体可之更多地转化为HCO3-,生成的碳酸氢钠溶解度小于氯化铵,随反应进行碳酸氢钠析出晶体.
(4)侯氏制碱法与索尔维制碱法相比除提高食盐利用率、无氯化钙生成的优势外还有侯氏制碱法的工艺由制碱和制氯化铵两个过程组成、形成纯碱与氯化铵的循环,从而综合利用原料、降低成本、减少环境污染.

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科目:高中化学 来源: 题型:选择题

14.下列关于元素周期表和元素周期律的说法中正确的是(  )
A.目前已发现的所有元素占据了周期表里全部位置,不可能再有新的元素被发现
B.元素的性质随着原子序数的增加而呈周期性变化
C.元素周期表中共有18列,对应18个族
D.元素周期表中右上方区域的非金属元素多用于制造半导体材料

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