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    某种“光敏性高分子”材料在荧光屏及大规模集成电路中应用广泛。其结构可表示如下：

    对该“光敏性高分子”叙述正确的是（　 ）

    　 A．化学式为(C11H11O2)n

    　 B．它能发生加成反应，不能发生水解反应

    　 C．它可以和FeCl3溶液发生显色反应

    　 D．1mol该分子最多能和4 n molH2发生加成反应

    D

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    某种“光敏性高分子”材料在荧光屏及大规模集成电路中应用广泛．其结构可表示为：对该“光敏性高分子”叙述正确的是（　　）

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    某种“光敏性高分子”材料在荧光屏及大规模集成电路中应用广泛．其结构可表示为：
    对该“光敏性高分子”叙述正确的是（　　）

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    某种“光敏性高分子”材料在荧光屏及大规模集成电路中应用广泛。其结构可表示为：

    该高分子可由单体M经加聚反应得到。对单体M的叙述正确的是（    ）

    A.分子式为（C11H10O2）n                      B.1 mol M最多能和4 mol H2发生加成反应

    C.它可以和FeCl3溶液发生显色反应             D.它既能发生加成反应，又能发生水解反应

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    科目：高中化学 来源：不详 题型：单选题

    某种“光敏性高分子”材料在荧光屏及大规模集成电路中应用广泛．其结构可表示为：
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    对该“光敏性高分子”叙述正确的是（　　）
    A．化学式为（C11H11O2）n
    B．1mol该分子最多能和4nmolH2发生加成反应
    C．它可以和FeCl3溶液发生显色反应
    D．它能发生加成反应，不能发生水解反应

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    科目：高中化学 来源：2011年江苏省连云港市赣榆高级中学高考化学模拟试卷（解析版） 题型：选择题

    某种“光敏性高分子”材料在荧光屏及大规模集成电路中应用广泛．其结构可表示为：对该“光敏性高分子”叙述正确的是（ ）
    A．化学式为（C11H11O2）n
    B．1mol该分子最多能和4nmolH2发生加成反应
    C．它可以和FeCl3溶液发生显色反应
    D．它能发生加成反应，不能发生水解反应

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