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    制备单质硅的主要化学反应如下：①SiO2+2C
     高温 
    .
     
     Si+2CO↑
    ②Si+2Cl 
     加热 
    .
     
    SiCl4  ③SiCl4+2H2 
     高温 
    .
     
    Si+4HCl
    下列对上述三个反应的叙述中不正确的是（　　）
    A、①③为置换反应
    B、①②③均为氧化还原反应
    C、③中SiCl4是氧化剂
    D、三个反应的反应物中的硅元素均被还原
    分析：A、根据置换反应是一种单质和一种化合物生成另一种单质和另一种化合物；
    B、根据化合价变化来判断氧化还原反应；
    C、根据化合价降低的是氧化剂；
    D、根据化合价降低的元素被还原，化合价升高低的元素被氧化；
    解答：解：A、因置换反应是一种单质和一种化合物生成另一种单质和另一种化合物，所以①③为置换反应，故A正确；
    B、因反应①②③中元素的化合价发生了变化，均为氧化还原反应，故B正确；
    C、反应③中硅的化合价有+4价变成了0价，化合价降低，是氧化剂，故C正确；
    D、反应①③中硅元素的化合价降低的元素被还原，反应②中硅元素的化合价升高的元素被氧化，故D错误；
    故选：D．
    点评：本题结合工业上制备单质硅的反应考查了氧化还原反应的知识，题目难度不大，培养了学生分析问题、解决问题的能力．
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    相关习题

    科目：高中化学 来源： 题型：阅读理解

    晶体硅是一种重要的非金属材料．制备纯硅的主要步骤如下：
    ①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅   ②粗硅与干燥HCl气体反应制SiHCl3：Si+3HCl
     300℃ 
    .
     
    SiHCl3+H2
    ③SiHCl3与过量H2在1000～1100℃反应制得纯硅．
    已知SiHCl3能与H2O强烈反应，在空气中易自燃．请回答下列问题：
    （1）第①步制备粗硅的化学反应方程式为
    SiO2+2C
     高温 
    .
     
    Si+2CO↑
    SiO2+2C
     高温 
    .
     
    Si+2CO↑
    ．
    （2）粗硅与HCl反应完全后，经冷凝得到的SiHCl3（沸点33.0℃）中含有少量SiCl4（沸点57.6℃）和HCl（沸点-84.7℃），提纯SiHCl3采用的方法为：
    分馏
    分馏
    ．
    （3）用SiHCl3与过量H2反应制备纯硅的装置如下（热源及夹持装置略去）：
    ①装置B中的试剂是
    浓硫酸
    浓硫酸
    ，装置C中的烧瓶需要加热，其目的是：
    使滴入烧瓶中的SiHCl3气化
    使滴入烧瓶中的SiHCl3气化
    ．
    ②反应一段时间后，装置D中观察到的现象是
    英管的内壁附有灰黑色晶体
    英管的内壁附有灰黑色晶体
    ，装置D不能采用普通玻璃管的原因是
    高温下，普通玻璃会软化
    高温下，普通玻璃会软化
    ，装置D中发生反应的化学方程式为
    SiHCl3+H2
     高温 
    .
     
    Si+3HCl
    SiHCl3+H2
     高温 
    .
     
    Si+3HCl
    ．
    ③为保证制备纯硅实验的成功，操作的关键是检查实验装置的气密性，控制好反应温度以及
    先通一段时间H2，将装置中的空气排尽
    先通一段时间H2，将装置中的空气排尽
    ．
    ④为鉴定产品硅中是否含微量铁单质，将试样用稀盐酸溶解，取上层清液后需再加入的试剂（填写字母代号）是
    bd
    bd

    a．碘水b．氯水c．NaOH溶液d．KSCN溶液e．Na2SO3溶液．

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    科目：高中化学 来源： 题型：阅读理解

    晶体硅是一种重要的非金属材料．请写出晶体硅的二种用途：
    计算机芯片
    计算机芯片
    、
    太阳能电池
    太阳能电池
    ．制备纯硅的主要步骤如下：
    ①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅
    ②粗硅与干燥HCl气体反应制得SiHCl3（常温下为液态，易挥发）
    ③SiHCl3与过量H2在1000～1100℃反应制得纯硅．
    已知：
    Ⅰ．SiHCl3水解会生成两种气态产物，请写出其水解的化学方程式：
    SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑
    SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑
    ．
    Ⅱ．SiHCl3 在空气中自燃．请回答下列问题：
    （1）第①步制备粗硅的化学反应方程式为
    SiO2+2C
     高温 
    .
     
    Si+2CO↑
    SiO2+2C
     高温 
    .
     
    Si+2CO↑
    ．
    （2）用SiHCl3与过量H2反应制备纯硅的装置如下（热源及夹持装置略去）

    ①装置B中的试剂是
    浓H2SO4
    浓H2SO4
    ，装置C中的烧瓶需要加热，其目的是
    使SiHCl3气化
    使SiHCl3气化
    ；
    ②反应一段时间后，装置D中观察到的现象是
    D石英管的内壁附有灰黑色晶体
    D石英管的内壁附有灰黑色晶体
    ，装置D中发生反应的化学方程式为
    SiHCl3+H2
     高温 
    .
     
    Si+3HCl
    SiHCl3+H2
     高温 
    .
     
    Si+3HCl
    ；
    ③为保证制备纯硅实验的成功，操作的关键是检查实验装置的气密性，控制好反应温度以及
    先通一段时间H2，将装置中的空气排尽
    先通一段时间H2，将装置中的空气排尽
    ；
    ④设计鉴定产品硅中是否含少量Fe单质的方法：
    取少量产品于试管中加盐酸溶解，再滴加氯水和KSCN（aq），若出现红色说明含Fe，若不出现红色说明不含Fe．
    取少量产品于试管中加盐酸溶解，再滴加氯水和KSCN（aq），若出现红色说明含Fe，若不出现红色说明不含Fe．
    ．

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    科目：高中化学 来源： 题型：

     晶体硅是一种重要的非金属材料。制备纯硅的主要步骤如下：
    ①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅。
    ②粗硅与干燥的HCl气体反应制得SiHCl3：Si+3HClSiHCl3+H2。
    ③SiHCl3与过量的H2在1000～1100℃时反应制得纯硅。
    已知SiHCl3（沸点33.0℃）能与H2O强烈反应，在空气中易自燃。
    请回答下列问题：
    （1）第①步制备粗硅的化学方程式为____________________。
    （2）用SiHCl3与过量的H2反应制备纯硅的装置如下（热源及夹持装置已略去）：

    ①装置B中的试剂是______________，装置C中的烧瓶需要加热，其目的是_______________。
    ②反应一段时间后，装置D中观察到的现象是__________________，装置D不能采用普通玻璃管的原因是______________，装置D中发生反应的化学方程式为_______________。
    ③为保证制备纯硅实验的成功，操作的关键是检查实验装置的气密性，控制好反应温度以及_________________________。
    ④为鉴定产品硅中是否含微量铁单质，将试样用稀盐酸溶解，取上层清液后需再加入的试剂（填写字母代号）是_____________。
    a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na2SO3溶液

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    科目：高中化学 来源：2013届江西省南昌二中高三第一次考试化学试卷（带解析） 题型：填空题

    (10分)晶体硅是一种重要的非金属材料。请写出晶体硅的二种用途：______、______
    制备纯硅的主要步骤如下：
    ①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅
    ②粗硅与干燥HCl气体反应制得SiHCl3(常温下为液态，易挥发)
    ③SiHCl3与过量Ｈ2在1000～1100℃反应制得纯硅。
    已知:Ⅰ.SiHCl3水解会生成两种气态产物，请写出其水解的化学方程式：___________。
    Ⅱ.SiHCl3在空气中自燃。请回答下列问题：
    （1）第①步制备粗硅的化学反应方程式为　　　　　　　　　　　　　　　　　。
    （2）用SiHCl3与过量Ｈ2反应制备纯硅的装置如下（热源及夹持装置略去）

    ①装置Ｂ中的试剂是　　　　，装置Ｃ中的烧瓶需要加热，其目的是______________，
    ②反应一段时间后，装置Ｄ中观察到的现象是　　　　　　　　　　　　　　　_　　，
    装置Ｄ中发生反应的化学方程式为　　　　　　　　　　　　　　　　　　___　　，
    ③为保证制备纯硅实验的成功，操作的关键是检查实验装置的气密性，控制好反应温度
    以及　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　_____________　，
    ④设计鉴定产品硅中是否含少量Fe单质的方法:_________________________________。

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    科目：高中化学 来源：2013届重庆市高二上学期期中考试化学试卷 题型：实验题

    （18分）晶体硅是一种重要的非金属材料。制备纯硅的主要步骤如下：

     ①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅

    ②粗硅与干燥HCl气体反应制SiHCl3：Si＋3HCl　　　　SiHCl3＋Ｈ2

    ③SiHCl3与过量Ｈ2在1000～1100℃反应制得纯硅。

    已知SiHCl3能与Ｈ2Ｏ强烈反应，在空气中易自燃。

    请回答下列问题：

    （1）第①步制备粗硅的化学反应方程式为　　　　　　　　　　　　　　　　　。

    （2）粗硅与HCl反应完全后，经冷凝得到的SiHCl3（沸点33.0℃）中含有少量SiCl4（沸点57.6℃）和HCl（沸点－84.7℃），提纯SiHCl3采用的方法为：　　　　　　　　　　　　。

    （3）用SiHCl3与过量Ｈ2反应制备纯硅的装置如下（热源及夹持装置略去）：

    ①装置Ｂ中的试剂是　　　　　　　　，装置Ｃ中的烧瓶需要加热，其目的是：　　　　　　　　　。

    ②反应一段时间后，装置Ｄ中观察到的现象是　　　　　　　，装置Ｄ不能采用普通玻璃管的原因是　　　　　，装置Ｄ中发生反应的化学方程式为　　　　　　　　　　　　　　　。

    ③为保证制备纯硅实验的成功，操作的关键是检查实验装置的气密性，控制好反应温度以及　　　　。

    ④为鉴定产品硅中是否含微量铁单质，将试样用稀盐酸溶解，取上层清液后需再加入的试剂（填写字母代号）是　　　　　　　　　　

    ａ．碘水    ｂ．氯水    ｃ．ＮaＯＨ溶液     ｄ．KSCN溶液    ｅ．Ｎa2ＳＯ3溶液

     

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