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    16．设阿伏伽德罗常数为NA，下列说法正确的是（　　）
    A．标准状况下，22.4L甲醛完全燃烧产生NA个CO2分子
    B．1L1mol/L Na2CO3溶液中，阴离子个数等于NA
    C．100 g 98%的浓硫酸中含氧原子个数为4NA
    D．常温常压下，1mol白磷中含有共价键为4NA

    分析 A、求出甲醛的物质的量，然后根据1mol甲醛中含1molC原子来分析；
    B、碳酸钠溶液中，碳酸根离子部分水解生成了氢氧根离子，阴离子数目增加；
    C、硫酸溶液中，除了硫酸本身，水也含氧原子；
    D、1mol白磷中含6molP-P键．

    解答 解：A、标况下22.4L甲醛的物质的量为1mol，而甲醛中含1个碳原子，故1mol甲醛中含1mol碳原子，燃烧生成1mol二氧化碳即NA个二氧化碳分子，故A正确；
    B、1L1mol/L Na2CO3溶液中含有溶质碳酸钠的物质的量为1mol，由于溶液中碳酸根离子部分水解生成氢氧根离子，导致溶液中阴离子数目增加，所以溶液中阴离子个数大于NA，故B错误；
    C、硫酸溶液中，除了硫酸本身，水也含氧原子，故溶液中的氧原子的个数大于4NA个，故C错误；
    D、1mol白磷中含6molP-P键，即6NA个，故D错误．
    故选A．

    点评 本题考查了阿伏伽德罗常数的有关计算，掌握物质的量的计算公式和物质结构是解题关键，难度不大．

    练习册系列答案
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    科目：高中化学 来源： 题型：选择题

    12．下列过程不涉及氧化还原反应的是（　　）
    A．明矾净水B．工业固氮C．海水提镁D．电池充电

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    科目：高中化学 来源： 题型：选择题

    7．某实验小组依据反应 AsO${\;}_{4}^{3-}$+2H++2I-?AsO${\;}_{3}^{3-}$+I2+H2O设计如图原电池，探究pH对AsO4氧化性的影响．测得电压与pH的关系如图．下列有关叙述错误的是（　　）
    A．调节pH可以改变反应的方向
    B．pH=0.68 时，反应处于平衡状态
    C．pH=5 时，负极电极反应式为2I--2e-═I2
    D．pH＞0.68时，氧化性I2＞AsO${\;}_{4}^{3-}$

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    科目：高中化学 来源： 题型：选择题

    4．某兴趣小组同学利用氧化还原反应：2KMnO4+10FeSO4+8H2SO4=2MnSO4+5Fe2（SO4）3+K2SO4+8H2O设计如下原电池，盐桥中装有饱和溶液．下列说法正确的是（　　）
    A．a电极上发生的反应为：MnO4-+8H++5e-═Mn2++4H2O
    B．外电路电子的流向是从a到b
    C．电池工作时，盐桥中的SO42-移向甲烧杯
    D．b电极上发生还原反应

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    科目：高中化学 来源： 题型：选择题

    11．将充有n mLNO和m mLNO2气体的试管倒立于盛水的水槽中，然后通入n mLO2．m＞n，则充分反应后，试管中气体在同温同压下的体积为（　　）
    A．$\frac{3}{（m-n）}$mLB．$\frac{（m-n）}{3}$ mLC．$\frac{（4m-1）}{13}$ mLD．$\frac{（m-n）}{3}$3 mL

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    科目：高中化学 来源： 题型：选择题

    1．下列有关实验的描述正确的是（　　）
    A．常温下，用pH计测定0.1mol/L的甲酸钠溶液pH为13
    B．向饱和醋酸钠溶液中添加0.1mol/L的碳酸钠溶液产生了无色气体
    C．少量Mg（OH）2沉淀中加入氯化铵浓溶液可以观其察到白色沉淀溶解
    D．向2ml 1mol/L的NaOH溶液中加入3滴 1mol/L MgCl2溶液，再加入3 滴1mol/L FeCl3溶液可以证明Mg（OH）2沉淀转变成Fe（OH）3沉淀

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    科目：高中化学 来源： 题型：选择题

    8．下列各组离子在溶液中能够大量共存的是（　　）
    A．K+、Cl-、NO3-、Ag+B．H+、HCO3-、Na+、Cl-
    C．Na+、OH-、Ba2+、CO32-D．Mg2+、Cl-、H+、SO42-

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    科目：高中化学 来源： 题型：选择题

    5．向Ba（OH）2溶液中逐滴加入稀硫酸，溶液导电性的变化合理的图象为（　　）
    A．B．C．D．

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    科目：高中化学 来源： 题型：解答题

    6．硅是带来人类文明的重要元素之一，从传统材料到信息材料的发展过程中创造了一个有一个奇迹．
    （1）新型陶瓷Si3N4的熔点高、硬度大、化学性质稳定．工业上可以采用化学气相沉积法，在H2的保护下，使SiCl4与N2反应生成Si3N4沉积在石墨表面，写出该反应的化学方程式3SiCl4+2N2+6H2═Si3N4+12HCl．
    （2）一种用工业硅（含少量钾、钠、铁、铜的氧化物），已知硅的熔点是1420℃，高温下氧气及水蒸气能明显腐蚀氮化硅．一种合成氮化硅的工艺主要流程如下：

    ①净化N2和H2时，铜屑的作用是：除去原料气中的氧气；硅胶的作用是除去生成的水蒸气．
    ②在氮化炉中3SiO2（s）+2N2（g）=Si3N4（s）△H=-727.5kJ/mol，开始时为什么要严格控制氮气的流速以控制温度该反应为放热反应，防止局部过热，导致硅熔化熔合成团，阻碍与N2的接触；体系中要通入适量的氢气是为了将体系中的氧气转化为水蒸气，而易被除去（或将整个体系中空气排尽）．
    ③X可能是硝酸（选填：“盐酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氢氟酸”）．
    （3）工业上可以通过如下图所示的流程制取纯硅：

    ①整个制备过程必须严格控制无水无氧．SiHCl3遇水剧烈反应，写出该反应的化学方程式SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl．
    ②假设每一轮次制备1mol纯硅，且生产过程中硅元素没有损失，反应I中HCl的利用率为90%，反应II中H2的利用率为93.75%．则在第二轮次的生产中，补充投入HCl 和H2的物质的量之比是5：1．

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