(10分)晶体硅是一种重要的非金属材料。请写出晶体硅的二种用途：______、______
制备纯硅的主要步骤如下：
①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅
②粗硅与干燥HCl气体反应制得SiHCl3(常温下为液态，易挥发)
③SiHCl3与过量Ｈ2在1000～1100℃反应制得纯硅。
已知:Ⅰ.SiHCl3水解会生成两种气态产物，请写出其水解的化学方程式：___________。
Ⅱ.SiHCl3 在空气中自燃。请回答下列问题：
（1）第①步制备粗硅的化学反应方程式为 。
（2）用SiHCl3与过量Ｈ2反应制备纯硅的装置如下（热源及夹持装置略去）
①装置Ｂ中的试剂是 ，装置Ｃ中的烧瓶需要加热，其目的是______________，
②反应一段时间后，装置Ｄ中观察到的现象是 _ ，
装置Ｄ中发生反应的化学方程式为 ___ ，
③为保证制备纯硅实验的成功，操作的关键是检查实验装置的气密性，控制好反应温度
以及 _____________ ，
④设计鉴定产品硅中是否含少量Fe单质的方法:_________________________________。
计算机芯片、太阳能电池。(2分) SiHCl3＋3H2O===H2SiO3＋H2↑＋3HCl↑(2分)
(1)①SiO2＋2CSi＋2CO↑(1分)
(2)①浓H2SO4，(1分) 使SiHCl3气化，(1分)
②D石英管的内壁附有灰黑色晶体，(1分) SiHCl3＋H2Si+3HCl，(1分)
③先通一段时间H2,将装置中的空气排尽，(1分)
④取少量产品于试管中加盐酸溶解，再滴加氯水和KSCN(aq)，若出现红色说明含Fe，若不出现红色说明不含Fe。(2分)
【解析】晶体硅的二种只要用途是计算机芯片、太阳能电池；SiHCl3水解会生成两种气态产物，则根据原子守恒可知，气体是氯化氢和氢气，所以方程式为SiHCl3＋3H2O===H2SiO3＋H2↑＋3HCl↑。
（1）焦炭在高温下还原二氧化硅制取粗硅，方程式为SiO2＋2CSi＋2CO↑。
（2）①由于SiHCl3易水解，所以必须干燥氢气，即B中试剂是浓硫酸；由于SiHCl3是液态，因此加热的目的是使SiHCl3气化。
②在D中氢气还原SiHCl3生成单质硅，所以D中现象是石英管的内壁附有灰黑色晶体，方程式为SiHCl3＋H2Si+3HCl。
③由于高温下氢气及硅都能和空气中的氧气反应，而装置中含有空气，所以应先通一段时间H2,将装置中的空气排尽。
④铁是活泼的金属，能和酸反应，而硅和一般的酸是不反应的，所以正确的方法是取少量产品于试管中加盐酸溶解，再滴加氯水和KSCN(aq)，若出现红色说明含Fe，若不出现红色说明不含Fe。
每日10分钟口算心算速算天天练系列答案科目：高中化学 来源：2013届江西省南昌二中高三第一次考试化学试卷（带解析） 题型：填空题
(10分)晶体硅是一种重要的非金属材料。请写出晶体硅的二种用途：______、______
制备纯硅的主要步骤如下：
①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅
②粗硅与干燥HCl气体反应制得SiHCl3(常温下为液态，易挥发)
③SiHCl3与过量Ｈ2在1000～1100℃反应制得纯硅。
已知:Ⅰ.SiHCl3水解会生成两种气态产物，请写出其水解的化学方程式：___________。
Ⅱ.SiHCl3在空气中自燃。请回答下列问题：
（1）第①步制备粗硅的化学反应方程式为 。
（2）用SiHCl3与过量Ｈ2反应制备纯硅的装置如下（热源及夹持装置略去）
①装置Ｂ中的试剂是 ，装置Ｃ中的烧瓶需要加热，其目的是______________，
②反应一段时间后，装置Ｄ中观察到的现象是 _ ，
装置Ｄ中发生反应的化学方程式为 ___ ，
③为保证制备纯硅实验的成功，操作的关键是检查实验装置的气密性，控制好反应温度
以及 _____________ ，
④设计鉴定产品硅中是否含少量Fe单质的方法:_________________________________。
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