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GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外层电子数分别是_____________________________________________。

(2)GaAs中Ga和As的化合价分别是___________________________________________。

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料,该化合物半导体材料的化学式可表示为__________________。

(1)3、5    (2)+3、-3    (3)SiC


解析:

由主族元素原子的最外层电子数等于它的族序数,可知Ga的最外层有3个电子,As最外层有5个电子。由于它们形成稳定化合物GaAs,其化合价分别为+3和-3。第ⅣA族的元素Si和C,最外层皆有4个电子,形成类似化合物的化学式为SiC。

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科目:高中化学 来源: 题型:

GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga、As分别位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。

(1)Ga原子和As原子最外层的电子数分别是多少?

(2)GaAs中Ga和As的化合价分别是多少?

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成与GaAs类似的化合物,该化合物也能用作半导体材料。试推断该化合物的化学式。

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科目:高中化学 来源: 题型:

GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外层电子数分别是           

(2)GaAs中Ga和As的化合价分别是           

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料,该化合物半导体材料的化学式可表示为           

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科目:高中化学 来源: 题型:

GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外层电子数分别是_____________________________________________。

(2)GaAs中Ga和As的化合价分别是___________________________________________。

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料,该化合物半导体材料的化学式可表示为__________________。

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GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

    (1)Ga和As的最外层电子数分别是           

    (2)GaAs中Ga和As的化合价分别是           

    (3)第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料,该化合物半导体材料的化学式可表示为           

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科目:高中化学 来源: 题型:

GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga、As分别位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。

(1)Ga原子和As原子最外层的电子数分别是多少?

(2)GaAs中Ga和As的化合价分别是多少?

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成与GaAs类似的化合物,该化合物也能用作半导体材料。试推断该化合物的化学式。

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