⑴第ⅢA.ⅤA元素组成的化合物GaN.GaP.GaAs等是人工合成的新型半导体材料.其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为 ▲ .在GaN晶体中.与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ .在四大晶体类型中.GaN属于 ▲ 晶体.⑵铜.铁元素能形成多种配合物.微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子.另一方是具有 ▲ � 题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 ▲ 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ 。在四大晶体类型中，GaN属于 ▲ 晶体。

⑵铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有 ▲ 的原子或离子

⑶CuCl₂溶液与乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配离子：请回答下列问题：

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。

②SO₂分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl₄互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲

③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是 ▲ 。

④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。

a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如上图所示，其中Cl原子的配位数为 ▲ 。

（12分）

⑴1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹（或[Ar]3d¹⁰4s²4p¹）（1分）

正四面体（1分）原子晶体（1分）

⑵能够接受孤电子对的空轨道（1分）

⑶①O >N >H（1分）

②V形（1分） SO₄^2-、SiO₄^4-等（1分）

③sp³杂化（1分）乙二胺分子间可以形成氢键，三甲胺分子间不能形成氢键（1分）

④abd （2分） ⑤4（1分）

解析:

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A、B分别是第三周期和第四周期同一主族的不同元素的原子，它们原子核内质子数均等于中子数，若A在第ⅡA族，其质量数为x，同B的质子数为Z；若A在Ⅵ族，其质子数为y，则B的质量数为A，Z和A为下列啊一组？

[　　]

A．

B．

C．

D．

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A、B分别是第三周期和第四周期同一主族的不同元素的原子，它们原子核内质子数均等于中子数，若A在第ⅡA族，其质量数为x，同B的质子数为Z；若A在Ⅵ族，其质子数为y．则B的质量数为A，Z和A为下列哪一组？
A．	Z＝x＋16，A＝2y＋18
B．	Z＝2y＋16，A＝＋8
C．	Z＝x＋8，A＝2y＋36
D．	Z＝x＋16，A＝2y＋36