太阳能电池的发展已经进入了第三代.第三代就是铜铟镓硒CIGS等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池.完成下列填空: (1)亚铜离子(Cu+)基态时的电子排布式为 , (2)硒为第4周期元素.相邻的元素有砷和溴.则3种元素的第一电离能从大到小顺序为 .用原子结构观点加以解释 , (3)与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性(价电子数少于价层轨道数).其化合� 题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

太阳能电池的发展已经进入了第三代。第三代就是铜铟镓硒CIGS等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池。完成下列填空：

（1）亚铜离子（Cu⁺）基态时的电子排布式为；

（2）硒为第4周期元素，相邻的元素有砷和溴，则3种元素的第一电离能从大到小顺序为（用元素符号表示），用原子结构观点加以解释；

（3）与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性（价电子数少于价层轨道数），其化合物可与具有孤对电子的分子或离子生成加合物，如BF₃能与NH₃反应生成BF₃·NH₃。 BF₃·NH₃中B原子的杂化轨道类型为，B与N之间形成键；

（4）单晶硅的结构与金刚石结构相似，若将金刚石晶体中一半的C原子换成Si原子且同种原子不成键，则得如图所示的金刚砂（SiC）结构；在SiC中，每个C原子周围最近的C原子数目为。

【答案】

（共8分）（1）1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰（1分）

（2）Br＞As＞Se （1分） As、Se、Br原子半径依次减小，原子核对外层电子的吸引力依次增强，元素的第一电离能依次增大（1分）；Se原子最外层电子排布为4s²4p⁴，而As原子最外层电子排布为4s²4p³，p电子排布处于半充满状态，根据洪特规则特例可知，半充满状态更稳定，所以As元素的第一电离能比Se大（1分）。

（3）sp³；（1分）配位键（答共价键不得分）（1分） (4) 12（2分）

【解析】

试题分析：（1）铜是29号元素，铜原子失去一个电子变成亚铜离子，所以亚铜离子核外有28个电子。根据构造原理可知基态铜离子（Cu^＋）的电子排布式为1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰ 或[Ar]3d¹⁰。

（2）As、Se、Br属于同一周期且原子序数逐渐增大，这三种元素依次属于第IVA族、第VA族、第VIA族。As、Se、Br原子半径依次减小，原子核对外层电子的吸引力依次增强，元素的第一电离能依次增大；Se原子最外层电子排布为4s²4p⁴，而As原子最外层电子排布为4s²4p³，p电子排布处于半充满状态，根据洪特规则特例可知，半充满状态更稳定，所以As元素的第一电离能比Se大，即第VA族元素大于其相邻元素的第一电离能，所以3种元素的第一电离能从大到小顺序为Br＞As＞Se。

（3）BF₃•NH₃中B原子含有3个σ 键和一个配位键，所以其价层电子数是4，B原子采取sp³杂化。该化合物中，B原子提供空轨道的原子、N原子提供孤电子对，所以B、N原子之间形成配位键。

（4）根据晶胞结构可知，每个碳原子连接4个硅原子，每个硅原子又连接其它3个碳原子，所以每个C原子周围最近的C原子数目为3×4＝12个。

考点：考查原子核外电子排布；元素第一电离能比较；配位键；晶胞的计算；原子轨道杂化方式及杂化类型判断等

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（2013?青岛一模）[化学-物质结构与性质]
太阳能电池的发展已经进入了第三代．第三代就是铜铟镓硒CIGS等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池．完成下列填空：
（1）亚铜离子（Cu⁺）基态时的电子排布式为

[Ar]3d¹⁰

；
（2）硒为第4周期元素，相邻的元素有砷和溴，则3种元素的第一电离能从大到小顺序为

Br＞As＞Se

（用元素符号表示），用原子结构观点加以解释

As、Se、Br原子半径依次减小，原子核对外层电子的吸引力依次增强，元素的第一电离能依次增大；Se原子最外层电子排布为4s²4p⁴，而As原子最外层电子排布为4s²4p³，p电子排布处于半充满状态，根据洪特规则特例可知，半充满状态更稳定，所以As元素的第一电离能比Se大

；
（3）与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性（价电子数少于价层轨道数），其化合物可与具有孤对电子的分子或离子生成加合物，如BF₃能与NH₃反应生成BF₃?NH₃． BF₃?NH₃中B原子的杂化轨道类型为

sp³

，B与N之间形成

配位

键；
（4）单晶硅的结构与金刚石结构相似，若将金刚石晶体中一半的C原子换成Si原子且同种原子不成键，则得如图所示的金刚砂（SiC）结构；在SiC中，每个C原子周围最近的C原子数目为

．

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科目：高中化学 来源： 题型：

（2013?乐山三模）太阳能电池的发展已经进入了第三代．第一代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池，第三代就是铜铟镓硒CIGS（CIS中掺入Ga）等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池．
（1）亚铜离子（Cu⁺）基态时的价电子排布式表示为

3d¹⁰

．
（2）硒为第4周期元素，相邻的元素有砷和溴，则这3种元素的第一电离能从大到小的顺序为

Br＞As＞Se

（用元素符号表示）．
（3）与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H₃BO₃）在水溶液中能与水反应生成[B（OH）₄]^-而体现一元弱酸的性质．
①[B（OH）₄]^-中B的原子杂化类型为

sp³

．
②不考虑空间构型，[B（OH）₄]^-的结构可用示意图表示为

．
（4）单晶硅的结构与金刚石结构相似，若将金刚石晶体中一半的C原子换成Si原子且同种原子不成键，则得如图所示的金刚砂（SiC）结构；若在晶体硅所有Si-Si键中插入O原子即得SiO₂晶体．
①在SiC中，每个C原子周围最近的C原子数目为

．
②判断a．SiO₂，b．干冰，c．冰三种晶体的熔点从小到大的顺序是

b＜c＜a

（填序号）．

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科目：高中化学 来源：2014届东北三省四市教研协作体高三联合考试理综化学试卷（解析版） 题型：填空题

太阳能电池的发展已经进入了第三代。第一代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池，第三代就是铜铟镓硒CIGs（CIS中掺入Ga）等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池。

（1）亚铜离子（Cu⁺）基态时的价电子排布式表示为。

（2）硒为第4周期元素，相邻的元素有砷和溴，则3种元素的第一电离能从大到小顺序为（用元素符号表示）。

（3）Cu晶体的堆积方式是（填堆积名称），其配位数为；往Cu的硫酸盐溶液中加入过量氨水，可生成[Cu(NH₃)₄]SO₄，下列说法正确的是_____

A．[Cu (NH₃)₄]SO₄中所含的化学键有离子键、极性键和配位键

B．在[Cu(NH₃)₄ ]²⁺中Cu²⁺给出孤对电子，NH₃提供空轨道

C．[Cu (NH₃)₄]SO₄组成元素中第一电离能最大的是氧元素

D．SO₄^2-与PO₄^3-互为等电子体，空间构型均为正四面体

（4）与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H₃BO₃）溶于水显弱酸性，但它却只是一元酸，可以用硼酸在水溶液中的电离平衡解释它只是一元弱酸的原因。

①H₃BO₃中B的原子杂化类型为；

②写出硼酸在水溶液中的电离方程式。

（5）硅与碳是同一主族元素，其中石墨为混合型晶体，已知石墨的层间距为335pm,C-C键长为142pm,计算石墨晶体密度（要求写出计算过程，得出结果保留三位有效数字,N_A为6.02×10²³mol^-1）

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科目：高中化学 来源：2012-2013学年江西省南昌市高三第三次模拟考试理综化学试卷（解析版） 题型：填空题

太阳能电池的发展已经进入了第三代。第一代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池，第三代就是铜铟镓硒CIGS（CIS中掺人Ga）等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池。

（1）镓的基态原子的电子排布式是___ 。

（2）硒为第4周期元素，相邻的元素有砷和溴，则3种元素的第一电离能从大到小顺序为（用元素符号表示）。

（3）H₂Se的酸性比H₂S____（填“强”或“弱”）。气态SeO₃分子的立体构型为____ 。

（4）硅烷（Si_nH_2n+2）的沸点与其相对分子质量的变化关系如图所示，呈现这种变化关系的原因是。

（5）与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H₃BO₃）在水溶液中能与水反应生成[B（OH）₄]^—而体现一元弱酸的性质，则[B（OH）₄]^—中B的原子杂化类型为。

（6）金属Cu单独与氨水或单独与过氧化氢都不能反应，但可与氨水和过氧化氢的混合溶液反应，其原因是____，反应的离子方程式为。

（7）一种铜金合金晶体具有面心立方最密堆积的结构。在晶脆中，Au原子位于顶点，Cu原子位于面心，则该合金中Au原子与Cu原子个数之比为，若该晶胞的边长为a pm，则合金的密度为 g·cm^-3（已知lpm=10^-12m，只要求列算式，不必计算出数值，阿伏加塞罗常数为N_A）。

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