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    下列实验装置图和相关操作正确的是

          

    C


    解析:

    在A项中，称量氢氧化钠固体时，氢氧化钠是不能直接放在滤纸上进行称量，因为氢氧化钠固体易潮解，应放在小烧杯中进行称量。在B项中，将溶液转移到容量瓶中时，应用玻璃棒进行引流，它没有用玻璃棒进行引流； C项，HCl气体出口不和水接触.可防止倒吸. 在D项中，分离硝酸钾与氯化钠不能用蒸馏法，应用降温结晶法。

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    科目：高中化学 来源： 题型：阅读理解

    （2011?武汉模拟）某实验小组欲制取氧化铜并证明氧化铜能加快氯酸钾的分解，进行了如下实验：
    （一）制取氧化铜
    ①称取2gCuSO4?5H2O研细后倒入烧杯，加10mL蒸馏水溶解；
    ②向上述CuSO4溶液中逐滴加入NaOH溶液，直到不再产生沉淀，然后将所得混合物转移到蒸发皿，加热至沉淀全部变为黑色；
    ③将步骤②所得混合物过滤、洗涤，晾干后研细备用．
    回答下列问题：
    （1）上述实验步骤中需要使用玻璃棒的是
    ①②③
    ①②③
    （填实验序号），步骤①、③中研磨固体所用仪器的名称是
    研钵
    研钵
    ；
    （2）步骤③中洗涤沉淀的操作是
    沿玻璃棒向漏斗中沉淀加蒸馏水至浸没沉淀，待水自然流出后，重复2-3次，
    沿玻璃棒向漏斗中沉淀加蒸馏水至浸没沉淀，待水自然流出后，重复2-3次，
    ．
    （二）证明氧化铜能加快氯酸钾的分解并与二氧化锰的催化效果进行比较，用右图装置进行实验，实验时均以生成25mL气体为准，其它可能影响实验的因素均已忽略，相关数据见表：
    实验序号 KClO3质量 其它物质质量 待测数据
    ④ 1.2g 无其他物质
    ⑤ 1.2g CuO  0.5g
    ⑥ 1.2g MnO2  0.5g
    回答下列问题：
    （3）上述实验中的“待测数据”指
    产生25mL气体所需时间
    产生25mL气体所需时间
    ；
    （4）本实验装置图中量气装置B由干燥管、乳胶管和50mL滴定管改造后组装而成，此处所用滴定管是
    碱式
    碱式
    （填“酸式”或“碱式”）滴定管；
    （5）若要证明实验⑤中干燥管内收集的气体是O2，可待气体收集结束后，用弹簧夹夹住B中乳胶管，拔去干燥管上单孔橡皮塞，
    用带火星的木条靠近，若复燃则证明收集的气体是氧气．
    用带火星的木条靠近，若复燃则证明收集的气体是氧气．
    ；
    （6）为探究CuO在实验⑤中是否起催化作用，需补做如下实验（无需写出具体操作）：
    a．
    检测CuO反应前后质量是否改变
    检测CuO反应前后质量是否改变
    ，b．CuO的化学性质有没有改变．

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    用下列实验装置进行的相关实验，能达到实验目的是（　　）
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    A、用图1所示装置除去Cl2中含有的少量HClB、用图2所示装置蒸干NH4HCO3饱和溶液制备NH4HCO3晶体C、用图3所示装置制取少量纯净的CO2气体D、用图4所示装置分离CCl4萃取碘水后已分层的有机层和水层

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    科目：高中化学 来源：2013-2014学年云南省部分名校高三第一次联考（11月）理综化学试卷（解析版） 题型：实验题

    高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料，是制备半导体的重要材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。高纯硅通常用以下方法制备：用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含Fe、Al、B、P等杂质），粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度为450～500℃），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置图。

    相关信息：a．四氯化硅遇水极易水解；b．硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接化合生成相应的氯化物；c．有关物质的物理常数见下表：

    物质

    SiCl4

    BCl3

    AlCl3

    FeCl3

    PCl5

    沸点/℃

    57.7

    12.8

    —

    315

    —

    熔点/℃

    －70.0

    －107.2

    —

    —

    —

    升华温度/℃

    —

    —

    180

    300

    162

     

    请回答下列问题：

    （1）仪器e的名称为               ，装置A中f管的作用是                           ，其中发生反应的离子方程式为                                              。

    （2）装置B中的试剂是                      。

    （3）某学习小组设计了以下两种实验方案：方案甲：g接装置Ⅰ；方案乙：g接装置Ⅱ。但是甲乙两个方案中虚线内装置均有不足之处，请你评价后填写下表。

    方案

    不足之处

    甲

     

    乙

     

     

    （4）在上述（3）的评价基础上，请设计一个合理方案：                                   。

    （5）通过上述合理的装置制取并收集到的粗产物可通过精馏（类似多次蒸馏）得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中，除铁元素外可能还含有的杂质元素是            （填写元素符号）。

     

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    科目：高中化学 来源：2014届甘肃省高三上学期期中考试理综化学试（解析版） 题型：实验题

    高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料，是制备半导体的重要材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。高纯硅通常用以下方法制备：用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含Fe、Al、B、P等杂质），粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度为450～500℃），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置图。

    相关信息：a．四氯化硅遇水极易水解；b．硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接化合生成相应的氯化物；c．有关物质的物理常数见下表：

    物质

    SiCl4

    BCl3

    AlCl3

    FeCl3

    PCl5

    沸点/℃

    57.7

    12.8

    —

    315

    —

    熔点/℃

    －70.0

    －107.2

    —

    —

    —

    升华温度/℃

    —

    —

    180

    300

    162

     

    请回答下列问题：

    （1）仪器e的名称为____________，装置A中f管的作用是_______________________________________，其中发生反应的离子方程式为_____        ____________________________________     _______。

    （2）装置B中的试剂是____________。

    （3）某学习小组设计了以下两种实验方案：方案甲：g接装置Ⅰ；方案乙：g接装置Ⅱ。但是甲乙两个方案中虚线内装置均有不足之处，请你评价后填写下表。

    方案

    不足之处

    甲

     

    乙

     

     

    （4）在上述（3）的评价基础上，请设计一个合理方案：___________     ________                  。

    （5）通过上述合理的装置制取并收集到的粗产物可通过精馏（类似多次蒸馏）得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中，除铁元素外可能还含有的杂质元素是    （填写元素符号）。

     

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