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    由可逆反应测绘出图象，纵坐标为生成物在平衡混合物中百分含量，下列对该反应的判断正确的是（　　）
    A、反应物中一定有气体
    B、生成物中一定有气体
    C、正反应一定是放热反应
    D、正反应一定是吸热反应
    考点：产物的百分含量随浓度、时间的变化曲线
    专题：化学平衡专题
    分析：“定一议二”：温度不变时，增大压强，生成物的百分含量降低，说明平衡逆向移动，逆向为体积缩小方向，而题中未给出具体的可逆反应，但是可以确定生成物中一定有气体，压强不变时，升高温度，生成物的百分含量增大，说明平衡正向移动，正向为吸热反应．
    解答： 解：根据图示可以看出：压强不变，温度升高，产物的百分含量增大，所以平衡正向移动，反应是吸热的，温度不变，压强增大，产物的百分含量减小，所以平衡逆向移动，逆向为体积缩小方向，而题中未给出具体的可逆反应，但是可以确定生成物中一定有气体．
    故选BD．
    点评：本题考查学生影响化学平衡移动的因素：温度、压强，注意“定一议二”法的应用，难度中等．
    练习册系列答案
    年级 高中课程 年级 初中课程
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    科目：高中化学 来源： 题型：

    如图为实验室某浓盐酸试剂瓶标签上的有关数据，试根据标签上的有关数据回答下列问题：
    （1）该浓盐酸中HCl的物质的量浓度为
     
     mol?L-1．
    （2）取用任意体积的该盐酸溶液时，下列物理量中，不随取用的体积多少而变化的是
     
    ．
    A．HCl的摩尔质量            B．溶液的浓度
    C．溶液中Cl-的质量分数       D．溶液的密度
    （3）某学生用上述浓盐酸和蒸馏水配制480mL 物质的量浓度为0.4mol?L-1的稀盐酸．
    ①该学生需选择容量瓶的规格为
     
    mL；（填：100、250、500、1000）
    该学生需要量取
     
    ml 上述浓盐酸进行配制．
    ②在配制过程中，下列实验操作对所配制的稀盐酸的物质的量浓度有何影响？
    Ⅰ．用量筒量取浓盐酸时，俯视观察凹液面
     

    Ⅱ．定容后经振荡、摇匀、静置，发现液面下降，再加适量的蒸馏水
     

    （填：“偏大”、“偏小”或“无影响”）．

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    下列关于碳族元素的说法正确的是（　　）
    A、单质都是无色晶体
    B、单质中硅单质熔点最高
    C、碳族元素形成的化合物种类最多
    D、在化合物中最稳定的化合价都是+4价

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    电解100mL含c（H+）=0.30mol/L的下列溶液，当电路中通过0.04mol电子时，理论上析出金属质量最大的是（　　）
    A、0.10 mol/L Ag+
    B、0.20 mol/L Zn2+
    C、0.20 mol/L Cu2+
    D、0.20 mol/L Pb2+

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    能正确表示下列化学反应的离子方程式的是（　　）
    A、氢氧化钡溶液与盐酸的反应  OH-+H+=H2O
    B、澄清的石灰水与稀盐酸反应  Ca（OH）2+2H+=Ca2++2H2O
    C、铜片插入硝酸银溶液中  Cu+Ag+=Cu2++Ag
    D、碳酸钙溶于稀盐酸中  CO32-+2H+=H2O+CO2↑

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    下列反应是氧化还原反应的是（　　）
    A、CaCO3+2HCl═CaCl2+H2O+CO2↑
    B、CaO+H2O═Ca（OH）2
    C、2KMnO4
      △  
    .
     
    K2MnO4+MnO2+O2↑
    D、CaCO3
     高温 
    .
     
    CaO+CO2↑

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    在同一温度下，弱电解质溶液a，强电解质溶液b，金属导体c的导电能力相同，若升高温度后，它们的导电能力是（　　）
    A、a＞b＞c
    B、a=b=c
    C、c＞a＞b
    D、b＞c＞a

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    在不同条件下分别测得反应2SO2+O2?2SO3的化学反应速率，其中表示该反应进行的最快的是（　　）
    A、v（SO2）=4mol/（L?min）
    B、v（O2）=3mol/（L?min）
    C、v（SO2）=0.1mol/（L?s）
    D、v（O2）=0.1mol/（L?s）

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    单晶硅是制作电子集成电路的基础材料．科学家预计，到2010年一个电脑芯片上将会集成10亿个晶体管，其功能远比我们想象的要大的多，这对硅的纯度要求很高．用化学方法可制得高纯度硅，其化学方程式为：
    ①SiO2+2C 
     高温 
    .
     
    Si+2CO↑ ②Si+2Cl2
     点燃 
    .
     
    SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl，其中反应①和③属于（　　）
    A、化合反应B、分解反应
    C、置换反应D、复分解反应

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