H2N─N(CH3)2燃烧时所用的氧化剂是N2O4,燃烧产物只有N2、CO2、 H2O,在该反应中,被氧化的氮与被还原的氮的物质的量之比为:
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A. 1:2 B. 2:1 C. 3:4 D. 4:3
科目:高中化学 来源: 题型:
(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 ▲ 。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ 。在四大晶体类型中,GaN属于 ▲ 晶体。
⑵铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有 ▲ 的原子或离子
⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题:
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。
②SO2分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。
a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如上图所示,其中Cl原子的配位数为 ▲ 。
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科目:高中化学 来源:2010—2011年江苏泰州中学上学期高三质量检测化学卷 题型:填空题
(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 ▲ 。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ 。在四大晶体类型中,GaN属于 ▲ 晶体。
⑵K^S*5U.C#O%铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有 ▲ 的原子或离子
⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题:
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。
②SO2分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。
a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如上图所示,其中Cl原子的配位数为 ▲ 。
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科目:高中化学 来源:2012-2013学年山东省威海市高三5月模拟考试化学试卷(解析版) 题型:推断题
H、C、N、O、都属于自然界中常见非金属元素。
(1)O、C、N三种元素的第一电离能由小到大顺序是 ;NH4+中氮原子轨道的杂化类型为________。
(2)CO、N2的结构可表示为:
两者的键能数据:(单位kJ/mol)
|
A—B |
A=B |
|
CO |
357.7 |
798.9 |
1071.9 |
N2 |
154.8 |
418.4 |
941.7 |
结合数据说明CO比N2活泼的原因 。
(3)乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 。
(4)C、N元素形成的新材料具有如图所示结构,该晶体硬度将超过目前世界上最硬的金刚石,成为首屈一指的超硬新材料。 该物质的化学式为: 。
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科目:高中化学 来源:2011-2012学年江苏省无锡市高三第二次考试化学试卷 题型:填空题
(12分) “物质结构与性质”
(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 。在四大晶体类型中,GaN属于 晶体。
(2)铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有 的原子或离子
(3)CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题:
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 。
②SO2分子的空间构型为 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为 。
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 。
a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如右图所示,其中Cl原子的配位数为 。
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