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A、B、C、D是第一、二周期元素,A和C的价电子数都为1个,B和C具有相同的电子层数,它们的价电子数相差6个,D是地壳中含量最高的元素,试回答:

1)写出4种元素的符号:A__________,B__________,C__________,D__________.

2)A、B、C、D 4种元素,两两结合,形成的离子化合物有______(写化学式,下同),共价化合物有______.

3)A、B、C、D 4种元素的任意结合形成的物质,含有非极性键的是____________(写化学式).

 

答案:
解析:

解析:因为A和C价电子数为1,所以A和C为H元素和Li元素.由于B和C具有相同的电子层,且价电子数相差6个,所以可知C为Li元素,B为F元素,那么A为H元素.地壳中含量最多的元素是O,所以D为O元素.

答案:(1)H F Li O

(2)LiF Li2O、LiH(LiH不答亦可)

(3)F2、O2、Li2O2(Li2O2较难形成,不答亦可)

 


练习册系列答案
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科目:高中化学 来源: 题型:

(2011?新余二模)化学--选修物质结构与性质
已知:A、B、C、D、E、F五种元素核电荷数依次增大,属周期表中前四周期的元素.其中A原子核外有三个未成对电子;化合物B2E的晶体为离子晶体,E原子核外的M层中只有两对成对电子;C元素是地壳中含量最高的金属元素;D单质的熔点在同周期元素形成的单质中是最高的;F原子核外最外层电子数与B相同,其余各层均充满.请根据以上信息,回答下列问题:
(1)A、B、C、D的第一电离能由小到大的顺序为
Na<Al<Si<N
Na<Al<Si<N
.(用元素符号表示)
(2)B的氯化物的熔点比D的氯化物的熔点
(填高或低),理由是
NaCl为离子晶体而SiCl4为分子晶体
NaCl为离子晶体而SiCl4为分子晶体

(3)E的最高价氧化物分子的空间构型是
平面正三角形
平面正三角形

(4)F的核外电子排布式是
1s22s22p63s23p63d104s1(或[Ar]3d104s1
1s22s22p63s23p63d104s1(或[Ar]3d104s1
,F的高价离子与A的简单氢化物形成的配离子的化学式为
[Cu(NH34]2+
[Cu(NH34]2+

(5)A、F形成某种化合物的晶胞结构如图所示,则其化学式为
Cu3 N
Cu3 N
;(黑色球表示F原子)
(6)A、C形成的化合物具有高沸点和高硬度,是一种新型无机非金属材料,其晶体中所含的化学键类型为
共价键
共价键

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科目:高中化学 来源: 题型:

A、B、C、D是四种短周期元素,E是过渡元素.A、B、C同周期,C、D同主族,A的原子结构示意图为 ,B是同周期第一电离能最小的元素,C的最外层有三个成单电子,E的外围电子排布式为3d64s2.回答下列问题:
(1)写出下列元素的符号:B
Na
Na
、C
P
P

(2)用元素符号表示D所在周期(除稀有气体元素外)第一电离能最大的元素是
F
F
,电负性最大的元素是
F
F

(3)已知元素周期表可按电子排布分为s区、p区等,则E元素在
d
d
区.
(4)写出A的核外电子排布式
1s22s22p63s23p2
1s22s22p63s23p2

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科目:高中化学 来源: 题型:

(2012?梧州模拟)已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它们的核电荷数依次增大.其中A原子核外有三个未成对电子;A与B可形成离子化合物B3A2;C元素是地壳中含量最高的金属元素;D原予核外的M层中有两对成对电子;E原子核外最外层只有1个电子,其余各层电子均充满.请根据以上信息,回答下列问题:(答题时,A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示)
(1)E的核外电子排布式是
1s22s22p63s23p63d104s1
1s22s22p63s23p63d104s1
,A、B、C、D的第一电离能由小到大的顺序为
Al<Mg<S<N
Al<Mg<S<N

(2)B的氯化物的熔点远高于C的氯化物的熔点,理由是
氯化镁是离子晶体,氯化铝是分子晶体
氯化镁是离子晶体,氯化铝是分子晶体

(3)A的最高价含氧酸根离子中,其中心原子采取
sp2
sp2
杂化,D的低价氧化物分子的空间构型是
V形
V形

(4)A、E形成某种化合物的晶胞结构如下图所示,则其化学式为
Cu3N
Cu3N
;(每个球均表示1个原子)

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科目:高中化学 来源: 题型:

已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它们的核电荷数A<B<C<D<E<F.其中A原子核外有三个未成对电子;化合物B2E的晶体为离子晶体,E原子核外M层中只有两对成对电子;C元素是地壳中含量最高的金属元素;D单质的晶体类型在同周期的单质中没有相同的;F原子核外最外层电子数与B相同,其余各层电子均充满.请根据以上信息,回答下列问题:(答题时,A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示)
(1)A、B、C、D的第一电离能由小到大的顺序为
Na<Al<Si<N
Na<Al<Si<N
.(用元素符号表示)
(2)B的氯化物的熔点比D的氯化物的熔点
(填高或低),理由是
NaCl为离子晶体而SiCl4为分子晶体
NaCl为离子晶体而SiCl4为分子晶体

(3)A的最高价氧化物对应的水化物分子中其中心原子采取
sp2
sp2
杂化,E的最高价氧化物分子的空间构型是
平面正三角形
平面正三角形

(4)F的核外电子排布式是
1s22s22p63s23p63d104s1(或[Ar]3d104s1
1s22s22p63s23p63d104s1(或[Ar]3d104s1
,F的高价离子与A的简单氢化物形成的配离子的化学式为
[Cu(NH34]2+
[Cu(NH34]2+

(5)A、F形成某种化合物的晶胞结构如图所示,则其化学式为
Cu3N
Cu3N
;(每个球均表示1个原子)
(6)A、C形成的化合物具有高沸点和高硬度,是一种新型无机非金属材料,则其化学式为
AlN
AlN
,其晶体中所含的化学键类型为
共价键
共价键

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