分析 (1)根据构造原理写出硼原子的核外电子排布式;同一周期元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大的趋势,但第IIA族和第VA族元素的第一电离能大于相邻元素;
(2)晶体R中各种微粒间的作用力涉及离子键、共价键、配位键、范德华力;阴离子中中心原子B原子含有4个σ键且不含孤电子对,所以B原子采用sp3杂化方式,为四面体构型;
(3)乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)中N原子呈3个σ键,含有1对孤对电子,杂化轨道数为4,采取sp3杂化.
乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)分子之间可以形成氢键,但三甲胺[N(CH3)3]分子之间不能形成氢键.
(4)B位于第2周期ⅢA族,核外电子排布式1s22s22p1,形成的六方相氮化硼,每一个B与3个N原子相连,每1个N原子与3个B原子相连,形平面三角形,向空间发展成层状结构.六方相氮化硼,不含π键,只含σ键,层与层之间通过范德华力结合在一起;作用力小,导致其质地软,六方相氮化硼晶体层内一个硼原子与相邻氮原子形成3个共价单键,且B原子不存在孤电子对,该物质的层状结构中不存在自由移动的电子,所以不导电;
(5)该晶胞中C原子个数=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,Si原子个数为4,晶胞边长=acm,体积V=(acm)3,根据ρ=$\frac{m}{V}$计算.
解答 解:(1)硼原子核外有5个电子,其核外电子排布式为:1s22s22p1,同一周期元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大的趋势,但第IIA族和第VA族元素的第一电离能大于相邻元素,所以C、N、si三种元素的第一电离能由大到小的顺序为:N>C>Si,
故答案为:1s22s22p1;N>C>Si;
(2)①晶体R中各种微粒间的作用力涉及离子键、共价键、配位键、范德华力;
②阴离子中中心原子B原子含有4个σ键且不含孤电子对,所以B原子采用sp3杂化方式,为四面体构型;
故答案为:①abce;②四面体;
(3)乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)中N原子呈3个σ键,含有1对孤对电子,杂化轨道数为4,采取sp3杂化.
乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)分子之间可以形成氢键,三甲胺[N(CH3)3]分子之间不能形成氢键,故乙二胺的沸点较高.
故答案为:sp3杂化;乙二胺分子之间可以形成氢键,三甲胺分子之间不能形成氢键;
(4)B位于第2周期ⅢA族,核外电子排布式1s22s22p1,形成的六方相氮化硼,每一个B与3个N原子相连,每1个N原子与3个B原子相连,形平面三角形,向空间发展成层状结构.六方相氮化硼,不含π键,只含σ键,层与层之间通过范德华力结合在一起;作用力小,导致其质地软,六方相氮化硼晶体层内一个硼原子与相邻氮原子形成3个共价单键,且B原子不存在孤电子对,该物质的层状结构中不存在自由移动的电子,所以不导电;
故答案为:不含;层与层之间通过范德华力结合在一起,作用力小,导致其质地软;不能;层状结构中没有自由移动的电子;
(5)该晶胞中C原子个数=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,Si原子个数为4,晶胞边长=acm,体积V=(acm)3,ρ=$\frac{m}{V}$=$\frac{40×4}{{a}^{3}{N}_{A}}$g•cm3=$\frac{160}{{{a}^{3}•N}_{A}}$g•cm3;
故答案为:$\frac{160}{{{a}^{3}•N}_{A}}$•
点评 考查核外电子排布规律、电负性、杂化轨道、分子空间结构、氢键与化学键、晶胞等,综合性较强,难度中等,是对知识的综合运用,需要学生具备扎实的基础与分析问题解决问题的能力.
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A. | C(s)+$\frac{1}{2}$O2(g)═CO(g);△H1 C(s)+O2(g)═CO2(g);△H2 | |
B. | $\frac{1}{2}$H2(g)+$\frac{1}{2}$Cl2(g)═HCl(g);△H1 H2(g)+Cl2(g)═2HCl(g);△H2 | |
C. | 2H2(g)+O2(g)═2H2O(g);△H1 2H2(g)+O2(g)═2H2O(l);△H2 | |
D. | S(g)+O2(g)═SO2(g);△H1 S(s)+O2(g)═SO2(g);△H2 |
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A. | 35.3g | B. | 33.5g | C. | 32.3g | D. | 11.3g |
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A. | 固体烧碱要密封存放 | |
B. | 常时间放置的澄清石灰水变浑浊 | |
C. | 浓硫酸露置于空气中会增重、变稀 | |
D. | 铜制品长期放在空气中会产生“铜锈” |
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