营养液的成分 | KCl、K2SO4、NH4Cl |
物质的量之比 | n(KCl):n(K2SO4):n(NH4Cl)=1:4:8 |
分析 (1)硫酸钾为强电解质,在溶液中完全电离,据此写出硫酸钾的电离方程式;
(2)根据n=$\frac{m}{M}$计算出氯化钾的物质的量,然后根据n(KCl):n(K2SO4):n(NH4Cl)=1:4:8计算出需要氯化铵的物质的量,最后根据m=nM计算出氯化铵的质量;
(3)根据配制一定物质的量浓度的溶液步骤判断图甲位置;操作③为转移溶液,玻璃杯应该放在容量瓶刻度线下方.
解答 解:(1)K2SO4为强电解质,在溶液中完全电离出钾离子和硫酸根离子,其电离方程式为:K2SO4═2K++SO42-,
故答案为:K2SO4═2K++SO42-;
(2)74.5gKCl的物质的量为:$\frac{74.5g}{74.5g/mol}$=1mol,根据n(KCl):n(K2SO4):n(NH4Cl)=1:4:8可知:n(NH4Cl)=8n(KCl)=1mol×8=8mol,8mol氯化铵的质量为:53.5g/mol×8mol=428.0g,
故答案为:428.0g;
(3)图甲为定容,应该放在转移溶液后、用胶头滴管定容前,即放在③和④之间;图③是将溶解、冷却后的溶液转移到容量瓶中,即转移溶液;转移溶液时,玻璃棒下端应该放在容量瓶刻度线的下方,
故答案为:③;④;转移溶液;容量瓶刻度线的下方.
点评 本题考查较为综合,涉及物质的量的计算、配制一定物质的量浓度的溶液、电离方程式书写等知识,题目难度不大,明确配制一定物质的量浓度的溶液方法为解答关键,试题培养了学生的分析能力及灵活应用能力.
科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | 过量的氧气与二氧化硫 | B. | 过量的氢氧化钠与二氧化硅 | ||
C. | 过量的二氧化锰与浓盐酸 | D. | 过量的铜与浓硫酸 |
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科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | HF的电子式:H+[:tr | |
B. | Cl-离子的结构示意图: | |
C. | 乙酸的结构简式:C2H3O2 | |
D. | 硫酸钠的电离方程式:Na2SO4=2Na++SO42- |
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科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | 化学式为Na2CO3 | B. | 受热不分解 | C. | 属于盐 | D. | 与盐酸不反应 |
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科目:高中化学 来源: 题型:选择题
选项 | 概念 | 解释 |
A | 酸 | 电离出的阳离子是氢离子的化合物 |
B | 氧化物 | 含有氧元素的化合物 |
C | 氧化还原反应 | 元素化合价发生变化的反应 |
D | 电解质 | 能导电的物质 |
A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |
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科目:高中化学 来源: 题型:选择题
选项 | 事实 | 推测 |
A. | Na与冷水反应剧烈,K与冷水反应更剧烈 | Li与冷水反应缓慢 |
B. | 20Ca(OH)2碱性强于12Mg(OH)2 | 38Sr(OH)2碱性强于20Ca(OH)2 |
C. | Si是半导体材料,同主族的Ge也是半导体材料 | 第ⅣA元素形成的单质都是半导体材料 |
D. | F2与H2在暗处剧烈化合,Cl2与H2光照或点燃时反应 | Br2与H2反应需要加热到一定温度 |
A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |
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科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | 石英是制造光导纤维的原料,也是常用的半导体材料 | |
B. | 氧化铝是冶炼金属铝的原料,也是较好的耐火材料 | |
C. | 与铜质水龙头的钢质水管,在连接处易发生腐蚀 | |
D. | 大量燃烧化石燃料是造成雾霾的重要因素之一 |
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科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | 用蒸馏法将自来水制成蒸馏水 | B. | 用酒精萃取碘水中的碘 | ||
C. | 用过滤法除去食盐水中的泥沙 | D. | 用淘洗的方法从沙里淘金 |
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