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    电子工业中清洗硅片上的SiO2（s）的反应是：

    SiO2（s）＋4HF(g)＝Si F4(g)＋2H2O(g)  ΔＨ(298.15K)＝－94.0 kJ·mol－1  ΔＳ(298.15K)＝－75.8 J·mol－1 ·K －1  ，设ΔＨ和ΔＳ不随温度而变化，试求此反应自发进行的温度条件？

    当温度低于1.24×K时反应可自发进行。


    解析:

    依据反应自发进行时的判据：△H－T△S＜0，变形求解可得。要使反应自发进行，则△H－T△S＜0，即：

    （－94.0 kJ·mol－1）－T（－75.8 ×10－3kJ·mol－1 ·K －1）＜0

    T＜＝＝1.24×K

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    SiO2(s)+4HF(g) SiF4(g)+2H2O(g)?ΔH(298.15 K)=-94.0 kJ·mol-1?

    ΔS（298.15 K）=-75.8 J·mol-1·K-1?

    设ΔH和ΔS不随温度而变化，试求此反应自发进行的温度条件。????????????

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    SiO2(s)+4HF(g) ==SiF4(g)+2H2O(g) △H(298.15K)=-94.0kJ·mol-1  △S(298.15K)=-75.8J·mol-1 ·K-1 设△H和△S不随温度而变，试求此反应自发进行的温度条件。

     

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    SiO2（s）+4HF（g）=SiF4（g）+2H2O（g）
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    ΔS（298K）=-75.8J?mol-1?K-1
    设ΔH和ΔS不随温度而改变，试求此反应自发进行的温度条件。

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