Question

3．A、B、C、D、E属于短周期元素，且原子序数依次增大，已知A 与E同主族，B、C、D、E同周期，A与B可形成两种离子化合物甲和乙，在甲中A、B 离子的电子层结构相同；C的简单离子半径是同周期所有离子中最小的，高纯度的D单质可制造芯片；又知 C、D的单质都能与强碱溶液反应．
（1）写出：AODSi（元素符号），乙Na₂O（化学式）
（2）E元素在周期表中的位置是第三周期，第VIA族．
（3）画出B的原子结构示意图；
（4）D的氧化物与NaOH溶液反应的化学方程式SiO₂+2NaOH=Na₂SiO₃+H₂O；
（5）举出C单质在工业上的一种重要用途（必须用化学方程式表示）2Al+Fe₂O₃$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$Al₂O₃+2Fe．

Answer 1

分析 A、B、C、D、E属于短周期元素，且原子序数依次增大，A与B可形成两种离子化合物甲和乙，在甲中A、B 离子的电子层结构相同，则A为O元素、B为Na，A 与E同主族，B、C、D、E同周期，则E为S元素，C的简单离子半径是同周期所有离子中最小的，高纯度的D单质可制造芯片，C、D的单质都能与强碱溶液反应，可推知C为Al、D为Si，据此解答．

解答 解：A、B、C、D、E属于短周期元素，且原子序数依次增大，A与B可形成两种离子化合物甲和乙，在甲中A、B 离子的电子层结构相同，则A为O元素、B为Na，甲为Na₂O₂、乙为Na₂O，A 与E同主族，B、C、D、E同周期，则E为S元素，C的简单离子半径是同周期所有离子中最小的，高纯度的D单质可制造芯片，C、D的单质都能与强碱溶液反应，可推知C为Al、D为Si．
（1）A为O元素，D为Si，乙为Na₂O，故答案为：O；Si；Na₂O；
（2）E为S元素，在周期表中的位置是第三周期，第VIA族，故答案为：三；VIA；
（3）B为Na元素，原子结构示意图为，故答案为：；
（4）D的氧化物为SiO₂，与NaOH溶液反应的化学方程式：SiO₂+2NaOH=Na₂SiO₃+H₂O，故答案为：SiO₂+2NaOH=Na₂SiO₃+H₂O；
（5）Al单质在工业上的一种重要用途：焊接钢轨等，反应方程式为：2Al+Fe₂O₃$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$Al₂O₃+2Fe，故答案为：2Al+Fe₂O₃$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$Al₂O₃+2Fe．

点评 本题考查结构性质位置关系应用，推断元素是解题关键，旨在考查学生对基础知识的巩固．