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20.第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1.在GaN晶体中,每个Ga原子与4个N原子相连,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体.在四大晶体类型中,GaN属于原子晶体.

分析 Ga是31号元素,其基态原子核外有31个电子,根据构造原理书写其原子核外电子排布式;
单晶硅是Si正四面体向空间延伸的立体网状结构,为原子晶体,GaN晶体结构与单晶硅相似,GaN属于原子晶体,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为与但晶硅中Si的结构相似.

解答 解:Ga原子是31号元素,Ga原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1;GaN晶体结构与单晶硅相似,GaN属于原子晶体,每个Ga原子与4个N原子相连,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体,
故答案为:1s22s22p63s23p63d104s24p1;4;正四面体;原子.

点评 本题考查了核外电子排布式的书写、晶体类型、分子空间构型等知识点,难度一般,解题时要注意基础知识的灵活运用.

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②单位时间内生成n molCO2 的同时生成2n mol CO   
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