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    四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法，有关反应的化学方程式为：SiCl4+2H2数学公式4HCl+Si下列说法不合理的是


    1. A.
      反应制得的硅可用于制造半导体材料
    2. B.
      增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率
    3. C.
      四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得
    4. D.
      混入少量空气对上述反应无影响
    D
    分析：A．硅位于金属与非金属元素的交界处；
    B．该反应中有气体参加反应，改变压强，反应速率改变；
    C．硅与氯气能发生氧化还原反应；
    D．硅能与氧气反应．
    解答：A．硅位于金属与非金属元素的交界处，硅具有金属性和非金属性，则反应制得的硅可用于制造半导体材料，故A正确；
    B．该反应中有气体参加反应，则增大压强，化学反应速率增大，故B正确；
    C．硅与氯气能发生氧化还原反应，则四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得，故C正确；
    D．硅能与氧气反应生成二氧化硅，所以混入少量空气对上述反应有影响，故D错误；
    故选D．
    点评：本题考查硅的提纯及硅的性质，明确硅在周期表的位置及硅与氯气、氧气等发生的化学反应即可解答，题目难度不大．
    练习册系列答案
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    四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法，有关反应的化学方程式为：SiCl4+2H2
     高温 
    .
     
    4HCl+Si下列说法不合理的是（　　）

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法，有关反应的化学方程式为：SiCl4（g）+2H2（g）
     高温 
    .
     
    Si（s）+4HCl（g）．下列说法合理的是（　　）
    A、光导纤维的主要成分是硅单质
    B、减小压强有利于加快化学反应速率
    C、高温下，氢气的还原性强于硅
    D、混入少量空气对上述反应无影响

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    科目：高中化学 来源：2012-2013学年黑龙江省牡丹江一中高二上学期期末化学试卷（带解析） 题型：单选题

    四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法，有关反应的化学方程式为：
    SiCl4＋2H24HCl＋Si
    下列说法不合理的是

    A．反应制得的硅可用于制造半导体材料
    B．增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率
    C．四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得
    D．混入少量空气对上述反应无影响

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    科目：高中化学 来源：2014届黑龙江省高二上学期期末化学试卷（解析版） 题型：选择题

    四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法，有关反应的化学方程式为：

    SiCl4＋2H24HCl＋Si

    下列说法不合理的是

    A．反应制得的硅可用于制造半导体材料

    B．增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率

    C．四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得

    D．混入少量空气对上述反应无影响

     

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    科目：高中化学 来源：2012-2013学年黑龙江省牡丹江一中高二（上）期末化学试卷（解析版） 题型：选择题

    四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法，有关反应的化学方程式为：SiCl4+2H24HCl+Si下列说法不合理的是（ ）
    A．反应制得的硅可用于制造半导体材料
    B．增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率
    C．四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得
    D．混入少量空气对上述反应无影响

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