分析 (1)硅质子数为14,基态Si原子的核外电子排布式为1s22s22p63s23p2,最高能层具有的原子轨道数为1+3+5=9,每个氮气分子中有一个σ键和2个π键,Ti是22号元素,根据核外电子排布规律书写价电子排布式;
(2)同一周期元素,元素电负性随着原子序数增大而增大,元素的第一电离能随着原子序数增大而增大,但第IIA族、第VA族元素第一电离能大于其相邻元素,据此判断;
(3)根据NF3分子中N原子的价层电子对数判断杂化轨道类型;
(4)含有氢键的物质熔沸点较高,HF中含有氢键、HCl中不含氢键,所以HF的熔沸点较高;
(5)金刚砂硬度大,晶胞中Si、C原子之间形成共价键,为空间网状结构,属于原子晶体,晶胞中存在四面体构型,晶胞中Si、C原子位置可以互换,互换后以顶点C原子为研究对象,与之最近的C原子处于面心,每个顶点为8个晶胞共用,每个面心为2个晶胞共用;
晶胞中Si处于顶点与面心、C原子处于晶胞内部,利用均摊法计算晶胞中Si、C原子数目,进而计算晶胞质量,再根据ρ=$\frac{m}{V}$计算晶胞密度.
解答 解:(1)硅质子数为14,基态Si原子的核外电子排布式为1s22s22p63s23p2,最高能层具有的原子轨道数为1+3+5=9,每个氮气分子中有一个σ键和2个π键,所以1mol氮气分子中σ键和π键的物质的量之比为1:2,Ti是22号元素,核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d24s2,价电子排布式为为3d24s2,
故答案为:9;1:2;3d24s2;
(2)同一周期元素,元素电负性随着原子序数增大而增大,所以C、N、F三种元素电负性由大到小的顺序为F>N>C,元素的第一电离能随着原子序数增大而增大,但第IIA族、第VA族元素第一电离能大于其相邻元素,所以第二周期元素中第一电离能介于B、F之间的有Be、C、N、O,共4种,
故答案为:F>N>C;4;
(3)根据价层电子对理论知,NF3分子中N原子价层电子对个数=$\frac{5+3}{2}$=4,所以N原子采用sp3杂化,
故答案为:sp3;
(4)含有氢键的物质熔沸点较高,HF中含有氢键、HCl中不含氢键,所以HF的熔沸点较高,
故答案为:HF比 HCl的沸点高,因为HF分子间存在氢键;
(5)金刚砂硬度大,晶胞中Si、C原子之间形成共价键,为空间网状结构,属于原子晶体,晶胞中存在四面体构型,晶胞中Si、C原子位置可以互换,互换后以顶点C原子为研究对象,与之最近的C原子处于面心,每个顶点为8个晶胞共用,每个面心为2个晶胞共用,故每个C原子周围最近的C原子数目为$\frac{3×8}{2}$=12,晶胞中Si处于顶点与面心,晶胞中Si元素数目为8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,C原子处于晶胞内部,晶胞中C原子数目为4,故晶胞质量为4×$\frac{40}{N{\;}_{A}}$g,晶胞体积为(a cm)3,则晶胞密度为4×$\frac{40}{N{\;}_{A}}$g÷(a cm)3=$\frac{160}{N{\;}_{A}a{\;}^{3}}$g•cm-3,
故答案为:原子晶体;12;$\frac{160}{N{\;}_{A}a{\;}^{3}}$.
点评 本题主要考查原子结构与位置关系、杂化轨道、第一电离能、晶体类型与性质、晶胞结构与计算等,注意利用均摊法进行计算,难度中等,侧重对学生的基础知识和综合能力的考查.
科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | 副族元素中没有非金属元素 | |
B. | 碱金属元素是指ⅠA族的所有元素 | |
C. | 除第1周期外,其他周期均有18种元素 | |
D. | 7个横行代表7个周期,18个纵行代表18个族 |
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科目:高中化学 来源: 题型:多选题
A. | 6.72 L | B. | 8.98 L | C. | 11.56 L | D. | 13.44 L |
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科目:高中化学 来源: 题型:解答题
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科目:高中化学 来源: 题型:推断题
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科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | 一定有甲烷 | B. | 一定有乙烯 | C. | 一定没有甲烷 | D. | 可能有乙烷 |
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科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | Cu2+、H+、Cl- | B. | K+、CO32-、OH- | C. | Cl-、CO32-、OH- | D. | K+、H+、Cl- |
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