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    电子工业中清洗硅片上的SiO2（s）的反应是：
    SiO2（s）+4HF（g）=SiF4（g）+2H2O（g）
    ΔH（298K）=-94.0kJ?mol-1
    ΔS（298K）=-75.8J?mol-1?K-1
    设ΔH和ΔS不随温度而改变，试求此反应自发进行的温度条件。

    此反应自发进行的最高温度为1240K。
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    科目：高中化学 来源： 题型：

    电子工业中清洗硅片上的SiO2(s)的反应是：?

    SiO2(s)+4HF(g) SiF4(g)+2H2O(g)?ΔH(298.15 K)=-94.0 kJ·mol-1?

    ΔS（298.15 K）=-75.8 J·mol-1·K-1?

    设ΔH和ΔS不随温度而变化，试求此反应自发进行的温度条件。????????????

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    电子工业中清洗硅片上的SiO2（s）的反应是：

    SiO2（s）＋4HF(g)＝Si F4(g)＋2H2O(g)  ΔＨ(298.15K)＝－94.0 kJ·mol－1  ΔＳ(298.15K)＝－75.8 J·mol－1 ·K －1  ，设ΔＨ和ΔＳ不随温度而变化，试求此反应自发进行的温度条件？

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    科目：高中化学 来源：2012年鲁科版高中化学选修4 2.1化学反应的方向卷练习（解析版） 题型：计算题

    10分）电子工业中清洗硅片上的SiO2（s）的反应是

    SiO2(s)+4HF(g) ==SiF4(g)+2H2O(g) △H(298.15K)=-94.0kJ·mol-1  △S(298.15K)=-75.8J·mol-1 ·K-1 设△H和△S不随温度而变，试求此反应自发进行的温度条件。

     

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    科目：高中化学 来源：同步题 题型：计算题

    由能量判据(以焓变为基础)(符号为△H，单位为kJ/mol)和熵判据(符号为△S，单位为J·mol-1·K-1)组合而成的复合判据，即体系自由能变化(符号为△G，单位为kJ/mol)将更适合于所有过程的自发性判断。公式为△G=△H-T△S(T指开尔文温度)；若△G＜0，反应自发进行。电子工业中清洗硅片上的SiO2(s)的反应是：SiO2(s)+4HF(g)==SiF4(g)+2H2O(g) △H(298．15K)=-94．0kJ·mol-1 △S(298．15K)=-75．8J·mol-1·K-1 设△H和△S不随温度而变化，试求此反应自发进行的温度条件。

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