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(5分)晶体硅是一种重要的非金属材料,制备纯硅的主要步骤如下:

①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅

②粗硅与干燥HCl气体反应制得SiHCl3 :Si + 3HCl(g) SiHCl3 + H2(g)

③SiHCl3与过量H2在1000-1100℃反应制得纯硅:

SiHCl3(g) + H2(g) Si(s)+ 3HCl(g)

已知SiHCl3能与H2O剧烈反应,且在空气中易自燃。

用SiHCI3与过量H2反应制备纯硅的装置如下(热源及夹持装置略去)

 (1)装置B中的试剂是             

(2)反应一段时间后,装置D中观察到的现象是           ,装置D不能采用普通玻璃管的原因是        

(3)为保证制备纯硅实验的成功,操作的关键是检查实验装置的气密性,控制好反应温度以及              

(4)为鉴定产品硅中是否含微量铁单质,将试样用稀盐酸溶解,取上层清液后需再加入的试剂是            。(填写字母代号) 

a.碘水     b.氯水     c. NaOH溶液    d. KSCN溶液    e. Na2SO3溶液

 

【答案】

(1) 浓硫酸    (2)有固体物质生成;在该反应温度下,普通玻璃会软化

(3) 排尽装置中的空气       (4) bd

【解析】(1)由于SiHCl3能与H2O剧烈反应,所以生成的氢气需要干燥,选用浓硫酸作干燥剂。

(2)在高温下氢气将硅置换出来,生成单质硅,因此在装置D中有固体物质生成。因为反应的温度很高,在该反应温度下,普通玻璃会软化,所以装置D不能采用普通玻璃。

(3)由于在高温下硅和氧气可以化合生成二氧化硅,所以必须排尽装置中的空气。

(4)铁和盐酸反应生成的是亚铁离子,所以要具有铁的存在,在加入KSCN溶液之前,还需要加入氧化剂氯气,把亚铁离子氧化成铁离子,所以答案选bd。

 

练习册系列答案
相关习题

科目:高中化学 来源: 题型:

Ga和As在一定条件下可以合成GaAs,GaAs是一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越.多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐,其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等.
(1)Ga在元素周期表的位置是
第四周期第IIIA族
第四周期第IIIA族
,As的原子结构示意图

(2)Ga的原子核外电子排布式为:
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1

(3)GaCl3和AsF3的空间构型分别是:GaCl3
平面三角形
平面三角形
,AsF3
三角锥形
三角锥形

(4)第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC,其结构跟金刚石相似,则SiC属于
原子
原子
晶体,并写出其主要的物理性质
硬度大、熔点高
硬度大、熔点高
  (任2种).
(5)第一电离能:As
Se(填“>”、“<”或“=”).
(6)硫化锌的晶胞中(结构如图所示),硫离子的配位数是
4
4

(7)二氧化硒分子的空间构型为
V形
V形
,写出它的1个等电子体的分子式
O3(或SO2
O3(或SO2

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科目:高中化学 来源:2011-2012年山东济南外国语学校高一下学期期中考试化学试卷(带解析) 题型:实验题

(5分)晶体硅是一种重要的非金属材料,制备纯硅的主要步骤如下:
①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅
②粗硅与干燥HCl气体反应制得SiHCl3:Si + 3HCl(g) SiHCl3 + H2(g)
③SiHCl3与过量H2在1000-1100℃反应制得纯硅:
SiHCl3(g)+ H2(g) Si(s)+ 3HCl(g)
已知SiHCl3能与H2O剧烈反应,且在空气中易自燃。
用SiHCI3与过量H2反应制备纯硅的装置如下(热源及夹持装置略去)

(1)装置B中的试剂是             
(2)反应一段时间后,装置D中观察到的现象是          ,装置D不能采用普通玻璃管的原因是        
(3)为保证制备纯硅实验的成功,操作的关键是检查实验装置的气密性,控制好反应温度以及              
(4)为鉴定产品硅中是否含微量铁单质,将试样用稀盐酸溶解,取上层清液后需再加入的试剂是           。(填写字母代号) 
a.碘水     b.氯水     c. NaOH溶液    d. KSCN溶液    e. Na2SO3溶液

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科目:高中化学 来源:不详 题型:填空题

Ga和As在一定条件下可以合成GaAs,GaAs是一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越.多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐,其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等.
(1)Ga在元素周期表的位置是______,As的原子结构示意图______.
(2)Ga的原子核外电子排布式为:______.
(3)GaCl3和AsF3的空间构型分别是:GaCl3______,AsF3______.
(4)第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC,其结构跟金刚石相似,则SiC属于______晶体,并写出其主要的物理性质______  (任2种).
(5)第一电离能:As______Se(填“>”、“<”或“=”).
(6)硫化锌的晶胞中(结构如图所示),硫离子的配位数是______.
(7)二氧化硒分子的空间构型为______,写出它的1个等电子体的分子式______.
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科目:高中化学 来源: 题型:阅读理解

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