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已知A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期,且元素原子序数依次增加,A焰色反应呈黄色;工业常用电解B的熔融的氯化物来制备B,C是一种能被HF和NaOH溶液溶解的单质,D的电负性比磷大,第一电离能却比磷小,E单质是制备漂白液的原料,F能形成红色(或砖红色)和黑色的两种氧化物,G是一种主族金属。
(1)前四周期所有元素中,基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有    种。
(2)元素A、B、C分别与氟气化合形成物质X、Y、Z熔点见下表:
氟化物
X
Y
Z
熔点/K
1266
1534
183
解释表中氟化物熔点差异的原因:                                      
(3)已知常温条件下,极性分子DOE2是一种液态化合物,中心原子D的杂化方式是      。向盛有10mL水的锥形瓶中滴加少量的DOE2溶液,生成两种有刺激性气味的气体。请书写此反应的化学方程式                            
(4)G与氮原子可1:1化合,形成人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。G原子的价电子排布式为           。在该合成材料中,与同一个G原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体。在四种基本晶体类型中,此晶体属于        晶体。
(5)F晶体的堆积方式是         (填堆积名称),其配位数为       。 向F的硫酸盐溶液中滴加氨水直至过量,写出此过程所涉及的两个离子方程式                                         根据价层电子对互斥理论,预测SO42-的空间构型为                
(1)5(1分)
(2)NaF和MgF2为离子晶体,SiF4为分子晶体,(1分) MgF2的晶格能大于NaF(1分)  (3)SP3(1分)   SOCl2 + H2O = SO2↑+ 2HCl↑(2分)
(4)4s2p1(1分),原子(1分)
(5)面心立方最密堆积(1分),  12(1分), Cu2+ + 2NH3·H2O = Cu(OH)2↓+ 2NH4+(2分)Cu(OH)2 + 4NH3·H2O = [Cu(NH3)4]2+ + 4H2O + 2OH-(或将NH3·H2O写成NH3)(2分),   正四面体(1分)

试题分析:A、B、C、D、E、F、G位于元素周期表的前四周期,且元素原子序数依次增加,A焰色反应呈黄色是Na;工业常用电解B的熔融的氯化物来制备B,是Mg;C是一种能被HF和NaOH溶液溶解的单质,是Si;D的电负性比磷大,第一电离能却比磷小,是S;E单质是制备漂白液的原料,为Cl;F能形成红色(或砖红色)和黑色的两种氧化物,为Cu;G是一种主族金属。
(1)前四周期所有元素中,基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有1s1,2s22p2或2s22p4,3s23p3,3d64s2(注意根据洪特规则3d44s2是3d54s1),共5种。
(2)元素Na、Mg、Si分别与氟气化合形成物质X(NaF)、Y(MgF2)、Z(SiF4)熔点NaF和MgF2为离子晶体,SiF4为分子晶体,MgF2的晶格能大于NaF。
(3)已知常温条件下,极性分子SOCl2是一种液态化合物,中心原子S有价层电子4对,杂化方式是SP3。向盛有10mL水的锥形瓶中滴加少量的SOCl2溶液,生成两种有刺激性气味的气体为水解,即SO2和HCl。
(4)G与氮原子可1:1化合,形成人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。物质分子式是GN,G为+3价,在Cu之后,故是G原子的价电子排布式为4s2p1。在该合成材料中,与同一个G原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体。在四种基本晶体类型中,此晶体属于原子晶体。
(5)Cu晶体的堆积方式是面心立方最密堆积,其配位数为12。 向CuSO4溶液中滴加氨水直至过量,Cu2+先生成Cu(OH)2沉淀,在溶解为[Cu(NH3)4]2+,根据价层电子对互斥理论,SO42-的价层电子为4对,空间构型为正四面体。
练习册系列答案
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