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【题目】请回答下列问题:
(1)N、Al、Si、Zn四种元素中,有一种元素的电离能数据如下:

电离能 I1 I2 I3 I4

In/kJ.mol1 578 1817 2745 11578 …

则该元素是(填写元素符号).
(2)基态锗(Ge)原子的电子排布式是 . Ge的最高价氯化物分子式是 . 该元素可能的性质或应用有
A.是一种活泼的金属元素 B.其电负性大于硫 C.其单质可作为半导体材料 D.其最高价氯化物的沸点低于其溴化物的沸点
(3)关于化合物 , 下列叙述正确的有
A.分子间可形成氢键
B.分子中既有极性键又有非极性键
C.分子中有7个σ键和1个π键
D.该分子在水中的溶解度大于2﹣丁烯
(4)NaF的熔点 的熔点(填>、=或<),其原因是

【答案】
(1)Al
(2)1s22s22p63s23p63d104s24p2;GeCl4;CD
(3)B,D
(4)>;两者均为离子化合物,且电荷数均为1,但后者离子半径大,离子键较弱,因此熔点较低
【解析】解:(1)从表中原子的第一至第四电离能可以看出,元素的第一、第二、第三电离能都较小,可失去3个电子,最高化合价为+3价,即最外层应有3个电子,应为铝元素,所以答案是:Al;(2)锗是32号元素,核外有32个电子,基态锗(Ge)原子原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p2
所以答案是:1s22s22p63s23p63d104s24p2
Ge的最高价为+4价,氯化物分子式是GeCl4
所以答案是:GeCl4
A.Ge是一种金属元素,但最外层电子数为4,金属性不强,故A错误;
B.硫的其电负性大于硅,硅的电负性大于锗,所以锗的电负性小于硫,故B错误;
C.锗单质是一种半导体材料,故C正确;
D.氯化锗和溴化锗都是分子晶体,但氯化锗的相对分子质量小于溴化锗,所以氯化锗沸点低于溴化锗的沸点,
故选:CD;(3)A.分子中不存在与电负性强的元素相连的氢原子,所以不存在氢键,故A错误;
B.分子中碳碳键是非极性键,碳氢键、碳氧键是极性键,故B正确;
C.1个单键是1个σ键,一个双键是1个σ键和1个π键,所以分子中有9个σ键和3个π键,故C错误;
D.根据醛基比甲基更溶于水,所以分子中两个甲基被醛基取代,溶解度增大,故D正确;
故选:BD;(4)两者均为离子化合物,且电荷数均为1,但后者离子半径大,离子键较弱,因此熔点较低,
所以答案是:>;两者均为离子化合物,且电荷数均为1,但后者离子半径大,离子键较弱,因此熔点较低.

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离子

开始沉淀时的pH

完全沉淀时的pH

Fe2+

7.6

9.7

Fe3+

2.7

3.7

Al3+

3.8

4.7

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8.3

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