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Ⅰ.砷化镓为第三代半导体,以其为材料制造的灯泡寿命长,耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题:
 (1)下列说法正确的是____(填序号)。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B.第一电离能As>Ga
C.电负性As>Ga
D.原子半径As>Ga
(2)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃下反应制得,反应的方程式为_________________;
(3)AsH3空间形状为_______;已知(CH3)3Ga为非极性分子,则其中镓原子的杂化方式为____________;
Ⅱ.金属铜的导电性仅次于银,居金属中的第二位,大量用于电气工业。
(4)请解释金属铜能导电的原因___________,Cu2+的核外电子排布式为_________________
(5)在硫酸铜溶液中通入过量的氨气,小心蒸发,最终得到深蓝色的[Cu(NH3)4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外,还有___________和____________。
(1)BC
(2)(CH3)3Ga+AsH3GaAs+3CH4
(3)三角锥;sp2
(4)铜是金属晶体,由金属阳离子和自由电子构成,自由电子在外加电场的作用下可发生定向移动;
[Ar]3d9或1s22s22p63s23p63d9
(5)离子键;配位键
练习册系列答案
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科目:高中化学 来源: 题型:阅读理解

(2013?青岛一模)[化学-物质结构与性质]
太阳能电池的发展已经进入了第三代.第三代就是铜铟镓硒CIGS等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池.完成下列填空:
(1)亚铜离子(Cu+)基态时的电子排布式为
[Ar]3d10
[Ar]3d10

(2)硒为第4周期元素,相邻的元素有砷和溴,则3种元素的第一电离能从大到小顺序为
Br>As>Se
Br>As>Se
 (用元素符号表示),用原子结构观点加以解释
As、Se、Br原子半径依次减小,原子核对外层电子的吸引力依次增强,元素的第一电离能依次增大;Se原子最外层电子排布为4s24p4,而As原子最外层电子排布为4s24p3,p电子排布处于半充满状态,根据洪特规则特例可知,半充满状态更稳定,所以As元素的第一电离能比Se大
As、Se、Br原子半径依次减小,原子核对外层电子的吸引力依次增强,元素的第一电离能依次增大;Se原子最外层电子排布为4s24p4,而As原子最外层电子排布为4s24p3,p电子排布处于半充满状态,根据洪特规则特例可知,半充满状态更稳定,所以As元素的第一电离能比Se大

(3)与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性(价电子数少于价层轨道数),其化合物可与具有孤对电子的分子或离子生成加合物,如BF3能与NH3反应生成BF3?NH3. BF3?NH3中B原子的杂化轨道类型为
sp3
sp3
,B与N之间形成
配位
配位
键;
(4)单晶硅的结构与金刚石结构相似,若将金刚石晶体中一半的C原子换成Si原子且同种原子不成键,则得如图所示的金刚砂(SiC)结构;在SiC中,每个C原子周围最近的C原子数目为
12
12

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