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制备单质硅的主要化学反应如下:

  ①SiO2+2C Si + 2CO↑  ②Si+2Cl2 SiCl4  ③SiCl4+2H2 Si + 4HCl

  下列对上述三个反应的叙述中不正确的是

    A.①③为置换反应                 B.①②③均为氧化还原反应

    C.⑧中SiCl4是氧化剂              D. 三个反应的反应物中的硅元素均被还原

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相关习题

科目:高中化学 来源: 题型:阅读理解

晶体硅是一种重要的非金属材料.制备纯硅的主要步骤如下:
①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅   ②粗硅与干燥HCl气体反应制SiHCl3:Si+3HCl
 300℃ 
.
 
SiHCl3+H2
③SiHCl3与过量H2在1000~1100℃反应制得纯硅.
已知SiHCl3能与H2O强烈反应,在空气中易自燃.请回答下列问题:
(1)第①步制备粗硅的化学反应方程式为
SiO2+2C
 高温 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高温 
.
 
Si+2CO↑

(2)粗硅与HCl反应完全后,经冷凝得到的SiHCl3(沸点33.0℃)中含有少量SiCl4(沸点57.6℃)和HCl(沸点-84.7℃),提纯SiHCl3采用的方法为:
分馏
分馏

(3)用SiHCl3与过量H2反应制备纯硅的装置如下(热源及夹持装置略去):
①装置B中的试剂是
浓硫酸
浓硫酸
,装置C中的烧瓶需要加热,其目的是:
使滴入烧瓶中的SiHCl3气化
使滴入烧瓶中的SiHCl3气化

②反应一段时间后,装置D中观察到的现象是
英管的内壁附有灰黑色晶体
英管的内壁附有灰黑色晶体
,装置D不能采用普通玻璃管的原因是
高温下,普通玻璃会软化
高温下,普通玻璃会软化
,装置D中发生反应的化学方程式为
SiHCl3+H2
 高温 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 高温 
.
 
Si+3HCl

③为保证制备纯硅实验的成功,操作的关键是检查实验装置的气密性,控制好反应温度以及
先通一段时间H2,将装置中的空气排尽
先通一段时间H2,将装置中的空气排尽

④为鉴定产品硅中是否含微量铁单质,将试样用稀盐酸溶解,取上层清液后需再加入的试剂(填写字母代号)是
bd
bd

a.碘水b.氯水c.NaOH溶液d.KSCN溶液e.Na2SO3溶液.

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科目:高中化学 来源: 题型:阅读理解

晶体硅是一种重要的非金属材料.请写出晶体硅的二种用途:
计算机芯片
计算机芯片
太阳能电池
太阳能电池
.制备纯硅的主要步骤如下:
①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅
②粗硅与干燥HCl气体反应制得SiHCl3(常温下为液态,易挥发)
③SiHCl3与过量H2在1000~1100℃反应制得纯硅.
已知:
Ⅰ.SiHCl3水解会生成两种气态产物,请写出其水解的化学方程式:
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑

Ⅱ.SiHCl3 在空气中自燃.请回答下列问题:
(1)第①步制备粗硅的化学反应方程式为
SiO2+2C
 高温 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高温 
.
 
Si+2CO↑

(2)用SiHCl3与过量H2反应制备纯硅的装置如下(热源及夹持装置略去)

①装置B中的试剂是
浓H2SO4
浓H2SO4
,装置C中的烧瓶需要加热,其目的是
使SiHCl3气化
使SiHCl3气化

②反应一段时间后,装置D中观察到的现象是
D石英管的内壁附有灰黑色晶体
D石英管的内壁附有灰黑色晶体
,装置D中发生反应的化学方程式为
SiHCl3+H2
 高温 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 高温 
.
 
Si+3HCl

③为保证制备纯硅实验的成功,操作的关键是检查实验装置的气密性,控制好反应温度以及
先通一段时间H2,将装置中的空气排尽
先通一段时间H2,将装置中的空气排尽

④设计鉴定产品硅中是否含少量Fe单质的方法:
取少量产品于试管中加盐酸溶解,再滴加氯水和KSCN(aq),若出现红色说明含Fe,若不出现红色说明不含Fe.
取少量产品于试管中加盐酸溶解,再滴加氯水和KSCN(aq),若出现红色说明含Fe,若不出现红色说明不含Fe.

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科目:高中化学 来源: 题型:

 晶体硅是一种重要的非金属材料。制备纯硅的主要步骤如下:
①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅。
②粗硅与干燥的HCl气体反应制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2
③SiHCl3与过量的H2在1000~1100℃时反应制得纯硅。
已知SiHCl3(沸点33.0℃)能与H2O强烈反应,在空气中易自燃。
请回答下列问题:
(1)第①步制备粗硅的化学方程式为____________________。
(2)用SiHCl3与过量的H2反应制备纯硅的装置如下(热源及夹持装置已略去):

①装置B中的试剂是______________,装置C中的烧瓶需要加热,其目的是_______________。
②反应一段时间后,装置D中观察到的现象是__________________,装置D不能采用普通玻璃管的原因是______________,装置D中发生反应的化学方程式为_______________。
③为保证制备纯硅实验的成功,操作的关键是检查实验装置的气密性,控制好反应温度以及_________________________。
④为鉴定产品硅中是否含微量铁单质,将试样用稀盐酸溶解,取上层清液后需再加入的试剂(填写字母代号)是_____________。
a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na2SO3溶液

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科目:高中化学 来源:2013届江西省南昌二中高三第一次考试化学试卷(带解析) 题型:填空题

(10分)晶体硅是一种重要的非金属材料。请写出晶体硅的二种用途:______、______
制备纯硅的主要步骤如下:
①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅
②粗硅与干燥HCl气体反应制得SiHCl3(常温下为液态,易挥发)
③SiHCl3与过量H2在1000~1100℃反应制得纯硅。
已知:Ⅰ.SiHCl3水解会生成两种气态产物,请写出其水解的化学方程式:___________。
Ⅱ.SiHCl3在空气中自燃。请回答下列问题:
(1)第①步制备粗硅的化学反应方程式为                 
(2)用SiHCl3与过量H2反应制备纯硅的装置如下(热源及夹持装置略去)

①装置B中的试剂是    ,装置C中的烧瓶需要加热,其目的是______________,
②反应一段时间后,装置D中观察到的现象是               _  
装置D中发生反应的化学方程式为                  ___  
③为保证制备纯硅实验的成功,操作的关键是检查实验装置的气密性,控制好反应温度
以及                           _____________ 
④设计鉴定产品硅中是否含少量Fe单质的方法:_________________________________。

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科目:高中化学 来源:2013届重庆市高二上学期期中考试化学试卷 题型:实验题

(18分)晶体硅是一种重要的非金属材料。制备纯硅的主要步骤如下:

 ①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅

②粗硅与干燥HCl气体反应制SiHCl3:Si+3HCl    SiHCl3+H2

③SiHCl3与过量H2在1000~1100℃反应制得纯硅。

已知SiHCl3能与H2O强烈反应,在空气中易自燃。

请回答下列问题:

(1)第①步制备粗硅的化学反应方程式为                 

(2)粗硅与HCl反应完全后,经冷凝得到的SiHCl3(沸点33.0℃)中含有少量SiCl4(沸点57.6℃)和HCl(沸点-84.7℃),提纯SiHCl3采用的方法为:            

(3)用SiHCl3与过量H2反应制备纯硅的装置如下(热源及夹持装置略去):

①装置B中的试剂是        ,装置C中的烧瓶需要加热,其目的是:         

②反应一段时间后,装置D中观察到的现象是       ,装置D不能采用普通玻璃管的原因是     ,装置D中发生反应的化学方程式为               

③为保证制备纯硅实验的成功,操作的关键是检查实验装置的气密性,控制好反应温度以及    

④为鉴定产品硅中是否含微量铁单质,将试样用稀盐酸溶解,取上层清液后需再加入的试剂(填写字母代号)是          

a.碘水    b.氯水    c.NaOH溶液     d.KSCN溶液    e.Na2SO3溶液

 

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