【题目】(双选)氯化硼的熔点为10.7℃,沸点为12.5℃。在氯化硼分子中,Cl—B—Cl键角为120°,它可以水解,水解产物之一是氯化氢。下列对氯化硼的叙述中正确的是( )
A. 氯化硼是原子晶体
B. 熔化时,氯化硼能导电
C. 氯化硼分子是一种非极性分子
D. 氯化硼水解得到两种酸
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【题目】下列关于有机物的说法正确的是
A. 蔗糖、果糖和麦芽糖都是双糖
B. 除去乙烷中的乙烯时,通入氢气并加催化剂加热
C. 油脂在酸性或碱性条件下水解都可得到甘油
D. 等物质的量的甲烷和乙酸完全燃烧消耗氧气的物质的量前者多
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【题目】下列有关化学用语使用正确的是( )
①甲基的电子式; ②Cl的结构示意图:;③乙烯的分子式:CH2=CH2 ④中子数为20的氯原子: Cl;⑤乙酸分子的比例模型:;⑥氯乙烷的结构式:
A. ④ B. ③④⑤ C. ④⑤⑥ D. ①③④⑤⑥
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【题目】常温下,H2A是一种易溶于水的二元酸,将NaOH溶液滴入等物质的量浓度的H2A溶液中,溶液中H2A、HA-、A2-的物质的量分数随溶液pH的变化关系如图所示。下列说法错误的是( )
A. 常温下,H2A的电离平衡常数 Ka1=10-3.30
B. 当 c(Na+)=2c(A2-)+c(HA-)时,溶液呈中性
C. pH=6.27时,c(A2-)=c(HA-)>c(H+)>c(OH-)
D. V(NaOH溶液):V(H2A溶液)=3∶2 时,2c(Na+)+c(OH-)=2c(H2A)+c(HA-)+c(H+)
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【题目】下列有关化学反应与能量变化的说法正确的是( )
A.甲烷的燃烧热△H=﹣890.3kJmol﹣1 , 则甲烷燃烧的热化学方程式可表示为:CH4(g)+ O2(g)=CO(g)+2H2O(g)△H=﹣890.3kJmol﹣1
B.相同条件下,氢气和氧气反应生成液态水比生成等量的气态水所放出的热量少
C.根据图金刚石在一定条件下转化成石墨提供的信息,可知生成物比反应物稳定,向外界放出的热量为E2﹣E3
D.同温同压下,H2(g)+Cl2(g)=2HCl(g)在光照和点燃条件下的△H相同
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【题目】下列说法中,错误的是( )
A.化学反应必然伴随能量变化
B.化学变化中的能量变化主要是由化学键变化引起的
C.化学反应中的能量变化的大小与反应物的质量多少无关
D.能量变化是化学变化的基本特征之一
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【题目】阿司匹林是一种历史悠久的解热镇痛药,对预防血栓和脑梗有很好的作用,M是一种防晒剂,它们的结构简式分别为:
和
由A出发合成路线如图:
已知:
①通常在同一个碳原子上连有两个羟基不稳定,易脱水形成羰基;
②R1CHO+R2CH2CHO+H2O
根据以上信息回答下列问题
(1)M中含氧官能团的名称_____________,阿司匹林的核磁共振氢谱中显示有________种不同化学环境的氢原子。
(2)写出H→Ⅰ过程中的反应类型_____________,F的结构简式_____________。
(3)写出D→E转化过程中①(D+NaOH)的化学方程式__________________。
(4)由H→I的过程中可能出现多种副产物,其中一种分子式为C16H12O2Cl2,写出该副产物的结构简式_______________。
(5)阿司匹林有多种同分异构体,符合下列条件的所有同分异构体有________种。
a.苯环上有3个取代基
b.仅属于酯类,能发生银镜反应,且每摩该物质反应时最多能生成4molAg
其中苯环上的一氯代物有两种的结构简式____________________。(任写出一种)
(6)写出由Ⅰ到M的合成路线(用流程图表示)。
示例CH2=CH2HBrCH3CH2BrCH3CH2OH
__________________。
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【题目】某研究小组以甲苯为主要原料,采用以下路线合成医药中间体F和Y.
已知: ;2CH3CHO
请回答下列问题:
(1)下列有关F的说法正确的是 .
A.分子式是C7H7NO2Br
B.能形成内盐
C.能发生取代反应和缩聚反应
D.1mol的F最多可以和2mol NaOH反应
(2)C→D的反应类型是 .
(3)B→C的化学方程式是 . 在合成F的过程中,B→C步骤不能省略,理由是 .
(4)写出同时符合下列条件的A的同分异构体的结构简式 . (要求写出3种) ①苯环上只有两种不同化学环境的氢原子; ②分子中含有 .
(5)以X和乙烯为原料可合成Y,请设计合成路线(无机试剂及溶剂任选). 注:合成路线的书写格式参照如下示例流程图:
CH3CHO CH3COOH CH3COOCH2CH3 . .
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【题目】工业上通过电化学原理在铝表面形成氧化膜来提高其抗腐蚀能力,工作原理如图所示。下列说法不正确的是
A. 碳棒可用铜棒代替,其作用是传递电流
B. 通电一段时间后,溶液的pH减小
C. 通电后电子被强制从碳棒流向铝片使铝表面形成氧化膜
D. 可通过调节滑动变阻器来控制氧化膜的形成速度
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