分析 A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它们的核电荷数依次增大,其中基态A原子价电子排布式为nsnnpn+1,s能级上最多排列2个电子,所以n=2,A的价电子排布式为2s22p3,为N元素;
C元素是地壳中含量最高的金属元素,则C为Al元素;D单质常用于制作太阳能电池和集成电路芯片,则D为Si元素,E为非金属元素,化合物B2E为离子化合物,E原子核外的M层中只有两对成对电子,则E为S元素,则B为Na元素;F原子最外层电子数与B的相同,其余各内层轨道均充满电子,则F为Cu元素;
(1)A、B、E分别是N、Na、S元素,同一周期元素的第一电离能随着原子序数的增大而增大,同一主族,元素的第一电离能随着原子序数增大而减小;
(2)氢化物N2H4分子中,N原子价层电子对个数是4,且不含孤电子对,据此判断A原子杂化方式;
(3)F是Cu元素,元素F在周期表的位置为第四周期第IB族,二价铜离子和一水合氨反应生成铜氨络合物;
(4)元素N和Al形成一种新型化合物材料,其晶体具有很高的硬度和熔点,说明该化合物是原子晶体,原子晶体中含有共价键;
(5)N、Cu形成某种化合物的晶胞结构如图,利用均摊法确定化学式;
距离最近的两个F原子的核间距为a cm,则晶胞边长为$\sqrt{2}$acm,晶胞体积=($\sqrt{2}$acm)3,根据ρ=$\frac{m}{V}$计算.
解答 解:A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它们的核电荷数依次增大,其中基态A原子价电子排布式为nsnnpn+1,s能级上最多排列2个电子,所以n=2,A的价电子排布式为2s22p3,为N元素;
C元素是地壳中含量最高的金属元素,则C为Al元素;D单质常用于制作太阳能电池和集成电路芯片,则D为Si元素,E为非金属元素,化合物B2E为离子化合物,E原子核外的M层中只有两对成对电子,则E为S元素,则B为Na元素;F原子最外层电子数与B的相同,其余各内层轨道均充满电子,则F为Cu元素;
(1)A、B、E分别是N、Na、S元素,同一周期元素的第一电离能随着原子序数的增大而增大,同一主族,元素的第一电离能随着原子序数增大而减小,所以第一电离能由小到大顺序是Na<S<N,故答案为:Na<S<N;
(2)氢化物N2H4分子中,N原子价层电子对个数是4,且不含孤电子对,则A原子杂化方式为sp3,故答案为:sp3;
(3)F是Cu元素,元素F在周期表的位置为第四周期第IB族,二价铜离子和一水合氨反应生成铜氨络合物,离子方程式为Cu2++4NH3•H2O=[Cu(NH3)4]2++4H2O,
故答案为:第四周期第IB族;Cu2++4NH3•H2O=[Cu(NH3)4]2++4H2O;
(4)元素N和Al形成一种新型化合物材料,其晶体具有很高的硬度和熔点,说明该化合物是原子晶体,原子晶体中含有共价键,所以该化合物中含有共价键,
故答案为:共价键;
(5)N、Cu形成某种化合物的晶胞结构如图,Cu原子个数=12×$\frac{1}{4}$=3、N原子个数=8×$\frac{1}{8}$=1,所以其化学式为Cu3N;
距离最近的两个F原子的核间距为a cm,则晶胞边长为$\sqrt{2}$acm,晶胞体积=($\sqrt{2}$acm)3,ρ=$\frac{m}{V}$=$\frac{\frac{64×3+14}{{N}_{A}}}{(\sqrt{2}a)^{3}}$g/cm3=$\frac{103\sqrt{2}}{2{a}^{3}{N}_{A}}$g/cm3,
故答案为:Cu3N;$\frac{103\sqrt{2}}{2{a}^{3}{N}_{A}}$.
点评 本题考查物质结构和性质,为高频考点,涉及晶胞计算、化学键判断、配合物离子方程式书写、原子杂化、电离能大小比较等知识点,综合性较强,侧重考查学生知识综合应用能力及空间想象能力,明确物质结构、元素周期律等知识点是解本题关键,难点是晶胞计算.
科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | 加催化剂 | B. | 降低温度 | C. | 减小压强 | D. | 加入O2 |
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科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | CO2、CH4、N2等均是造成温室效应的气体 | |
B. | “地沟油”经过加工处理后,可以用来制造燃油 | |
C. | 铁粉、生石灰、硅胶是食品包装中常用的干燥剂 | |
D. | 目前加碘食盐主要添加的是KI |
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科目:高中化学 来源: 题型:填空题
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科目:高中化学 来源: 题型:填空题
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科目:高中化学 来源: 题型:选择题
A. | Zn | B. | Cu | C. | Fe | D. | Mg |
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科目:高中化学 来源: 题型:解答题
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科目:高中化学 来源: 题型:解答题
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