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9.目前半导体生产展开了一场“铜芯片”革命--在硅芯片上用铜代替铝布线,古老的金属铜在现代科技应用上取得了突破,用黄铜矿(主要成分为CuFeS2)生产粗铜,其反应原理如下:CuFeS2$→_{800℃}^{O_{2}}$Cu2S$→_{△①}^{O_{2}}$Cu2O$→_{②}^{Cu_{2}S}$Cu
(1)基态铜原子的外围电子排布式为3d104s1,硫、氧元素相比,第一电离能较大的元素是O(填元素符号).
(2)反应①、②中均生成有相同的气体分子,该分子的中心原子杂化类型是sp2,其立体结构是V形.
(3)某学生用硫酸铜溶液与氨水做了一组实验:CuSO4溶液$\stackrel{氨水}{→}$蓝色沉淀$\stackrel{氨水}{→}$沉淀溶解,得到深蓝色透明溶液.写出蓝色沉淀溶于氨水的离子方程式Cu(OH)2+4NH3•H2O=[Cu(NH34]2++2OH-+4H2O;深蓝色透明溶液中的阳离子(不考虑H+ )内存在的全部化学键类型有共价键、配位键.
(4)铜是第四周期最重要的过渡元素之一,其单质及化合物具有广泛用途,铜晶体中铜原子堆积模型为面心立方最密堆积;铜的某种氧化物晶胞结构如图所示,若该晶体的密度为d g/cm3,阿伏加德罗常数的值为NA,则该晶胞中铜原子与氧原子之间的距离为$\frac{\sqrt{3}}{4}$×$\root{3}{\frac{288}{a{N}_{A}}}$×1010pm.((用含d和NA的式子表示).

分析 (1)Cu处于的第四周期IB族;同主族自上而下第一电离能减小;
(2)反应①、②中均生成的气体分子为SO2,计算分子中S原子孤电子对,价层电子对数,确定杂化方式与立体结构;
(3)硫酸铜溶液与氨水生成氢氧化铜,氢氧化铜溶于过量的氨水生成[Cu(NH34]2+离子,[Cu(NH34]2+离子中存在共价键、配位键;
(4)铜晶体中铜原子堆积模型为面心立方最密堆积;
由均摊法计算晶胞中Cu原子和O原子的数目,表示出晶胞的质量,根据密度计算公式ρ=$\frac{m}{V}$计算出体积,进而计算晶胞的棱长,晶胞中心O原子与周围Cu原子形成正四面体结构,其连线处于晶胞体对角线上,二者距离为体对角线程度的$\frac{1}{4}$,而体对角线长度为晶胞棱长的$\sqrt{3}$倍.

解答 解:(1)Cu位于第四周期IB族,基态铜原子的价电子排布式为3d104s1;同主族元素第一电离能自上而下逐渐减小,所以第一电离能较大的是氧;
故答案为:3d104s1;O;
(2)反应①②生成的相同气体分子是SO2,SO2中S原子的孤电子对数=$\frac{1}{2}$(6-2×2)=1,价层电子对数=2+1=3,所以S原子采用sp2杂化,由于含有一个孤电子对,其空间构型是V形,
故答案为:sp2;V形;
(3)硫酸铜溶液与氨水生成氢氧化铜蓝色沉淀,氢氧化铜溶于过量的氨水,形成[Cu(NH34]2+离子,蓝色沉淀溶于氨水的离子方程式为:Cu(OH)2+4NH3•H2O=[Cu(NH34]2++2OH-+4H2O,深蓝色透明溶液中的阳离子(不考虑H+)内存在的全部化学键类型有共价键、配位键,
故答案为:Cu(OH)2+4NH3•H2O=[Cu(NH34]2++2OH-+4H2O;共价键、配位键;
(4)铜晶体中铜原子堆积模型为面心立方最密堆积,
在铜的某种氧化物晶胞中,O原子在晶胞的顶点和体心,故O原子数=$\frac{1}{8}$×8+1=2,Cu原子全部在体心,故Cu原子数=4,则晶胞质量为$\frac{64×4+16×2}{{N}_{A}}$g,该晶体的密度为d g/cm3,则晶胞体积V=$\frac{64×4+16×2}{{N}_{A}}$g÷d g/cm3=$\frac{288}{d{N}_{A}}$cm3,所以晶胞的棱长为$\root{3}{\frac{288}{a{N}_{A}}}$cm,晶胞中心O原子与周围Cu原子形成正四面体结构,其连线处于晶胞体对角线上,二者距离为体对角线程度的$\frac{1}{4}$,而体对角线长度为晶胞棱长的$\sqrt{3}$倍,故晶胞中铜原子与氧原子之间的距离为$\frac{\sqrt{3}}{4}$×$\root{3}{\frac{288}{a{N}_{A}}}$cm=$\frac{\sqrt{3}}{4}$×$\root{3}{\frac{288}{a{N}_{A}}}$×1010pm,
故答案为:面心立方最密堆积;$\frac{\sqrt{3}}{4}$×$\root{3}{\frac{288}{a{N}_{A}}}$×1010

点评 本题考查物质结构和性质,涉及晶胞计算、配位键、核外电子排布、微粒空间构型判断等知识点,侧重考查学生计算及空间想象能力,难点是晶胞计算,关键是明确Cu、O原子之间的距离与棱长的关系.

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将某电路板上的Cu腐蚀完全,恰好消耗0.5L2mol/LFeCl3。全过程忽略体积的变化。

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(2)将Cu腐蚀一半时,溶液中的金属阳离子有:_______________;此时c(Cl-)为:____________mol/L;

(3)腐蚀的Cu的总物质的量为:______________mol;

(4)再生FeC13时,溶液由___________色最终变为___________色;消耗的Cl2在标准状况下的体积至少为:________________L。

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17.用0.1000mol•L-1标准NaOH溶液测定食醋中醋酸的含量,下列说法正确的是(  )
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14.有机化工原料X是一种相对分子质量为92的芳香烃.工业上利用X可以合成多种工业原料.如图是利用X来合成有机化工原料的流程路线.

已知:
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Ⅱ.$\stackrel{Fe/HCl}{→}$(苯胺,易被氧化)

Ⅲ.当苯环上连有甲基时,再引入的其他基团主要进入甲基的邻位或对位;当苯环上连有羧基时,再引入的其他基团主要进入羧基的间位.
请根据所学知识与本题所给信息回答下列问题:
(1)反应②条件是光照,反应④的反应类型是消去反应.
(2)B中所含官能团的名称为羧基、氯原子,A的结构简式是
(3)反应⑥的化学方程式是
(4)有多种同分异构体,写出符合下列条件的同分异构体的结构简式(任写一种).
①能发生银镜反应;②遇FeCl3溶液显紫色;③苯环上有两种不同环境的氢原子.
(5)关于的结构与性质,说法正确的是AD.
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B.能发生加成、消去、取代反应
C.分子中含有4种不同环境的氢原子
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(6)请用合成反应流程图表示出由X和其他无机物合成最合理的方案,请在答题纸的方框中表示.
例X$→_{反应条件}^{反应物}$…$→_{反应条件}^{反应物}$

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1.原子序数依次增大的四种元素A、B、C、D分别处于第1至第4周期,自然界中存在多种A的化合物,B原子核外电子有6种不同的运动状态,B与C可形成正四面体形分子,D的基态原子的最外能层只有一个电子,其他能层均已充满电子.
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15.工业上可用软锰矿(主要成分是MnO2)和黄铁矿(主要成分是FeS2)为主要原料制备高性能磁性材料碳酸锰(MnCO3).其工业流程如图1:

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(4)为测定某软锰矿中二氧化锰的质量分数,准确称量1.20g软锰矿样品,加入2.68g草酸钠固体,再加入足量的稀硫酸并加热(杂质不参加反应),充分反应后冷却,将所得溶液转移到250mL容量瓶中用蒸馏水稀释至刻度,从中取出25.0mL,用0.0200mol•L-1高锰酸钾溶液进行滴定,当滴入20.0mL溶液时恰好完全反应.
已知高锰酸钾、二氧化锰在酸性条件下均能将草酸钠(Na2C2O4)氧化:
2MnO4-+5C2O42-+16H+═2Mn2++10CO2↑+8H2O
MnO2+C2O42-+4H+═Mn2++2CO2↑+2H2O
求该软锰矿中二氧化锰的质量分数72.5%(写出计算过程).

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16.霍奇金淋巴瘤是青年人中最常见的恶性肿瘤之一.丙卡巴肼是治疗该病的有效药物,其主要合成工艺路线如下:

(1)A的名称为4-甲基苯甲酸,丙卡巴肼的分子式为C12H19N3O.
(2)有机物B生成C的化学方程式为(注明条件)
(3)下列分析合理的是ac(填字母).
a.有机物D可发生水解反应
b.有机物E中含有酯基
c.有机物F具有酸性
d.有机物G中所有碳原子一定在同一平面上
(4)F生成G过程中用到的HCOOH具有独特的性质,写出HCOOH与足量新制的氢氧化铜反应的化学方程式:HCHO+4Cu(OH)2$\stackrel{△}{→}$CO2↑+2Cu2O↓+5H2O.
(5)有机物B有多种同分异构体,写出符合下列条件的有机物B的结构简式:
a.能发生银镜反应
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