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    GaAs是一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。下列说法不正确的是

    A.Ga和As的最外层电子数分别是3和5

    B.GaAs中Ga和As的化合价分别为+3和-3

    C.N、P、As氢化物的沸点依次升高

    D.Ga的最高价氧化物对应水化物碱性较Al(OH)3强

    C  A项正确，Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族，所以Ga和As的最外层电子数分别是3和5；B项正确，GaAs中Ga是金属元素，体现正化合价，为+3价，而As是-3价；C项错误，第ⅤA族中N元素的氢化物分子之间可以形成氢键，其沸点反常得高；D项正确，Ga的金属性强于Al，所以Ga的最高价氧化物对应水化物碱性较Al(OH)3强.

    练习册系列答案
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    科目：高中化学 来源： 题型：

    （2012?许昌三模）[化学--选修3：物质结构与性质]砷（As）是一种重要的化学元素，其可形成多种用途广泛的化合物．
    （1）写出基态砷原子的电子排布式
    [Ar]3d104s24p3
    [Ar]3d104s24p3
    ；砷与溴的电负性相比，较大的是
    Br（或溴）
    Br（或溴）
    ．
    （2）砷（As）的氢化物与同族第二、三周期元素所形成的氢化物的稳定性由大到小的顺
    序为（用化学式表示）
    NH3＞PH3＞AsH3
    NH3＞PH3＞AsH3
    ；氢化物的沸点由高到低的顺序为（用化学式表示）
    NH3＞AsH3＞PH3
    NH3＞AsH3＞PH3
    ．
    （3）Na3AsO4可作杀虫剂．AsO
     
    3-
    4
    的空间构型为
    正四面体形
    正四面体形
    ．As原子采取
    sp3
    sp3
    杂化．
    （4）某砷的氧化物俗称“砒霜”，其分子结构如右图所示．该化合物的分子式为
    As4O6
    As4O6
    ．
    （5）GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与金刚石相似．GaAs晶胞中含有
    4
    4
    个砷原子．

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    Ga和As在一定条件下可以合成GaAs，GaAs是一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越．多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等．
    （1）Ga在元素周期表的位置是
    第四周期第IIIA族
    第四周期第IIIA族
    ，As的原子结构示意图
    ．
    （2）Ga的原子核外电子排布式为：
    1s22s22p63s23p63d104s24p1
    1s22s22p63s23p63d104s24p1
    ．
    （3）GaCl3和AsF3的空间构型分别是：GaCl3
    平面三角形
    平面三角形
    ，AsF3
    三角锥形
    三角锥形
    ．
    （4）第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC，其结构跟金刚石相似，则SiC属于
    原子
    原子
    晶体，并写出其主要的物理性质
    硬度大、熔点高
    硬度大、熔点高
      （任2种）．
    （5）第一电离能：As
    ＞
    ＞
    Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
    （6）硫化锌的晶胞中（结构如图所示），硫离子的配位数是
    4
    4
    ．
    （7）二氧化硒分子的空间构型为
    V形
    V形
    ，写出它的1个等电子体的分子式
    O3（或SO2）
    O3（或SO2）
    ．

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    GaAs(砷化镓)是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。

    （1）Ga和As的最外层电子数分别是：Ga________、As________。

    （2）GaAs中Ga和As的化合价分别是：Ga________价、As________价。

    （3）第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料，该化合物半导体材料的化学式可表示为________。

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    GaAs(砷化镓)是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。

    （1）Ga和As的最外层电子数分别是：Ga________、As________。

    （2）GaAs中Ga和As的化合价分别是：Ga________价、As________价。

    （3）第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料，该化合物半导体材料的化学式可表示为________。

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    科目：高中化学 来源：不详 题型：填空题

    Ga和As在一定条件下可以合成GaAs，GaAs是一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越．多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等．
    （1）Ga在元素周期表的位置是______，As的原子结构示意图______．
    （2）Ga的原子核外电子排布式为：______．
    （3）GaCl3和AsF3的空间构型分别是：GaCl3______，AsF3______．
    （4）第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC，其结构跟金刚石相似，则SiC属于______晶体，并写出其主要的物理性质______  （任2种）．
    （5）第一电离能：As______Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
    （6）硫化锌的晶胞中（结构如图所示），硫离子的配位数是______．
    （7）二氧化硒分子的空间构型为______，写出它的1个等电子体的分子式______．
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