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以氮化镓(GaN)、碳化硅、金刚石等为代表的第三代半导体材料具有高发光效率、抗腐蚀、化学稳定性好、高强度等特性,是目前最先进的半导体材料.完成下列填空:
(1)组成上述三种半导体材料的各种元素中,原子半径最小的元素在周期表中的位置是
 
.原子序数最小的元素原子原子结构简图是
 

(2)镓元素的相对原子质量为69.72,自然界中的镓共有两种稳定的同位素,其中69Ga的原子个数百分含量为60.1%,则另一种镓的同位素可表示为
 

(3)镓、铝为同族元素,性质相似.下表是两种两性氢氧化物的电离常数.
两性氢氧化物 Al(OH)3 Ga(OH)3
酸式电离常数Kia 2×10-11 1×10-7
碱式电离常数Kib 1.3×10-33 1.4×10-34
①写出氢氧化镓的电离方程式:
 

②将一块镓铝合金完全溶于烧碱溶液,再往反应后的溶液中缓缓通入CO2,最先析出的氢氧化物是
 
分析:(1)氮、镓、碳、硅四种元素原子半径最小的是N,位于第二周期第ⅤA主族;C原子序数最小,原子核外有2个电子层,最外层电子数为4;
(2)设镓的另一核素质量数为x,则69×60.1%+x×(1-60.1%)=69.72,据此计算质量数,Ga的质子数=13+18=31,据此书写其同位素符号;
(3)①氢氧化镓与氢氧化铝的性质相似,结合氢氧化铝的电离书写;
②所得的溶液中存在平衡:H++H2O+GaO2-?Ga(OH)3,H++H2O+AlO2-?Al(OH)3,电离平衡常数越小,越容易析出得到沉淀.
解答:解:(1)氮、镓、碳、硅四种元素原子半径最小的是N,位于第二周期第ⅤA主族;
C原子序数最小,原子核外有2个电子层,最外层电子数为4,原子结构示意图为精英家教网
故答案为:第二周期第ⅤA主族;精英家教网
(2)设镓的另一核素质量数为x,则69×60.1%+x×(1-60.1%)=69.72,解得x=71,的质子数=13+18=31,故该同位素符号为3171Ga,
故答案为:3171Ga;
(3)①氢氧化镓与氢氧化铝的性质相似,氢氧化镓的电离方程式为:H++H2O+GaO2-?Ga(OH)3?Ga3++3OH-
故答案为:H++H2O+GaO2-?Ga(OH)3?Ga3++3OH-
②所得的溶液中存在平衡:H++H2O+GaO2-?Ga(OH)3,H++H2O+AlO2-?Al(OH)3,Al(OH)3的电离平衡常数更小,故溶液中通入二氧化碳,先析出Al(OH)3沉淀,
故答案为:Al(OH)3
点评:本题考查结构性质位置关系应用、常用化学用语、电离平衡常数应用,难度中等,(2)中注意根据氢氧化铝性质进行解答,
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(1)镓的基态原子的电子排布式是
 

(2)N、P、S三种元素的第一电离能的大小顺序是
 

(3)N、P、As处于同一主族,其氢化物中NH3的沸点却最高,主要原因是
 

(4)与NO3-离子互为等电子体的分子为
 
(任写一种).
(5)GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.GaN的晶胞结构如图所示,其中与同一个Ga原子(黑色球)相连的N原子构成的空间构型为
 
.N原子的杂化方式为
 

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科目:高中化学 来源:2013-2014学年河南豫东、豫北十所名校高三阶段测试(四)理综化学试卷(解析版) 题型:填空题

以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点。回答下列问题:

1)镓为元素周期表第31号元素,镓原子价层电子排布图为__________________

2)氮所在主族中第一电离能最大的元素是___________(填元素符号,下同),镓所在主族中电负性最大的元素是_____________________

3)传统的氮化镓制备方法是采用CaCl3NH3在一定条件下反应,该反应的化学方程式为_________________

4)氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构,氮化镓中氮原子与镓原子之间以__________相结合,氮化镓属于______________晶体。

5)下图是氮化镓的晶胞模型:

①氮化镓中镓原子的杂化方式为_______________,氮原子的配位数为__________________

②氮化镓为立方晶胞,氮化镓的密度为。列出计算氮化镓晶胞边长a的表达式:a=_______cm

 

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