过渡金属元素及其化合物在合金材料以及催化剂等方面应用非常广泛．(1)基态Ni原子的价电子排布式表示为d84s2．(2)硒为第4周期元素.相邻的元素有砷和溴.则3种元素的第一电离能从大到小顺序为Br＞As＞Se．(3)Cu晶体的堆积方式是面心立方最密堆积．往铜的硫酸盐溶液中加入过量氨水.可生成[Cu(NH3)4]SO4.下列说法正确的是AD．A� 题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

15．

过渡金属元素及其化合物在合金材料以及催化剂等方面应用非常广泛．
（1）基态Ni原子的价电子（外围电子）排布式表示为d⁸4s²．
（2）硒为第4周期元素，相邻的元素有砷和溴，则3种元素的第一电离能从大到小顺序为Br＞As＞Se（用元素符号表示）．
（3）Cu晶体的堆积方式是面心立方最密堆积（填堆积名称）．往铜的硫酸盐溶液中加入过量氨水，可生成[Cu（NH₃）₄]SO₄，下列说法正确的是AD．
A．[Cu（NH₃）₄]SO₄所含的化学键有离子键、极性键和配位键
B．在[Cu（NH₃）₄]²⁺中Cu²⁺给出孤电子对，NH₃提供空轨道
C．[Cu（NH₃）₄]SO₄组成元素中电负性最大的是硫元素
D．SO₄^2-与PO₄^3-互为等电子体，中心原子的杂化轨道类型均为sp³杂化
（4）有一种晶体K_xFe_y（CN）_z，Fe²⁺、Fe³⁺、CN^-的排布如图所示，Fe²⁺和Fe³⁺位于立方体的顶点，自身互不相邻，CN^-位于立方体的棱上，每隔一个立方体，在立方体的中心含有一个K⁺ （未画出），则晶体的化学式可以表示为KFe₂（CN）₆．1molK_xFe_y（CN）_z晶体含有π键的个数为12N_A（阿伏加德罗常数用N_A表示）．

分析（1）Ni是28号元素，其核外电子排布式为：1s²2s²2p⁴3s²3p⁴3d⁸4s²，据此判断其外围电子排布式；
（2）同一周期中，元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大的趋势，但第IIA族和第VA族元素的第一电离能大于其相邻元素；
（3）Cu晶体的堆积方式是面心立方最密堆积；根据的[Cu（NH₃）₄]SO₄结构判断选项；
（4）利用均摊法计算，位于顶点的原子有$\frac{1}{8}$属于该晶胞，位于面心的原子有$\frac{1}{2}$属于该晶胞，位置棱上的原子有$\frac{1}{4}$属于该晶胞，位于晶胞内部的原子全部属于该晶胞；一个三键中含有两个π键，CN^-中含有一个三键．

解答解：（1）Ni是28号元素，其核外电子排布式为：1s²2s²2p⁴3s²3p⁴3d⁸4s²，其外围电子排布式为3d⁸4s²，
故答案为：3d⁸4s²；
（2）As、Se、Br属于同一周期且原子序数逐渐增大，这三种元素依次属于第VA族、第VIA族、第VIIA族，第VA族元素大于其相邻元素的第一电离能，所以3种元素的第一电离能从大到小顺序为Br＞As＞Se；
故答案为：Br＞As＞Se；
（3）Cu晶体的堆积方式是面心立方最密堆积；
A、N与H原子形成极性共价键，[Cu（NH₃）₄]²⁺与SO₄^2-形成离子键，Cu²⁺与NH₃形成配位键，故A正确；
B、在[Cu（NH₃）₄]²⁺中Cu²⁺提供空轨道，NH₃提供孤电子对，故B错误；
C、[Cu（NH₃）₄]SO₄组成元素中O元素的非金属性最强，则电负性最大的是O元素，故C错误；
D、SO₄^2-与PO₄^3-原子个数相等，价电子数相等，互为等电子体，其价层电子对数均为4，属于sp³杂化，故D正确；
故答案为：面心立方最密堆积；AD；
（4）由晶胞图可知，Fe²⁺和Fe³⁺位于立方体的顶点，Fe²⁺的数目为4×$\frac{1}{8}$=$\frac{1}{2}$，Fe³⁺的数目为4×$\frac{1}{8}$=$\frac{1}{2}$，CN^-位于立方体的棱上，其数目为$\frac{1}{4}$×12=3，每隔一个立方体，在立方体的中心含有一个K⁺，则两个晶胞含有一个K⁺，则该晶胞中含有$\frac{1}{2}$个K⁺，化学式可写为：KFe₂（CN）₆；一个三键中含有两个π键，CN^-中含有一个三键，每个晶胞中含有6个CN^-，即含有12个π键，则1molK_xFe_y（CN）_z晶体含有π键的个数为12N_A．
故答案为：KFe₂（CN）₆；12N_A．

点评本题考查了晶胞的计算、元素周期律、电子排布式、第一电离能、原子杂化等知识点，这些都是学习重点也是学习难点，同时考查学生的空间想象能力、分析问题能力、数学分析逻辑能力等，难度较大．

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