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1.下列离子方程式书写不正确的是(  )
A.常温下氯气与烧碱溶液反应:Cl2+2OH-═Cl-+ClO-+H2O
B.AlCl3溶液中加入过量的氨水:Al3++3NH3•H2O═Al(OH)3↓+3NH4+
C.金属钠与水反应:Na+H2O═Na++OH-+H2
D.铜与稀硝酸反应:3Cu+8H++2NO3-═3Cu2++2NO↑+4H2O

分析 A.反应生成氯化钠、次氯酸钠和水;
B.反应生成氢氧化铝和氯化铵;
C.反应生成氢氧化钠和氢气,电子、原子不守恒;
D.反应生成硝酸铜、NO和水,结合离子反应中保留化学式的物质及电荷守恒解答.

解答 解:A.常温下氯气与烧碱溶液反应的离子反应为Cl2+2OH-═Cl-+ClO-+H2O,故A正确;
B.AlCl3溶液中加入过量的氨水的离子反应为Al3++3NH3•H2O═Al(OH)3↓+3NH4+,故B正确;
C.金属钠与水反应的离子反应为2Na+2H2O═2Na++2OH-+H2↑,故C错误;
D.铜与稀硝酸反应的离子反应为3Cu+8H++2NO3-═3Cu2++2NO↑+4H2O,故D正确;
故选C.

点评 本题考查离子反应方程式书写的正误判断,为高频考点,把握发生的反应及离子反应的书写方法为解答的关键,侧重氧化还原反应、复分解反应的离子反应考查,综合性较强,题目难度不大.

练习册系列答案
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1.单晶硅是信息产业中重要的基础材料.通常在高温下还原二氧化硅制得粗硅(含铁、CO等杂质),粗硅与氯气反应生成四氯化硅(反应温度450~500℃)四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅.以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图.

相关信息如下:
a.四氯化硅遇水极易水解;
b.硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物;
c.有关物质的物理常数见表:
物质SiCl4BCl3AlCl3FeCl3PCl5
沸点/℃57.712.8 
 
315 
熔点/℃-70.0-107.2  
 
 
 
升华温度/℃ 180300162
d.已知装置A中发生反应的方程式为MnO2+4HCl(浓)$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$ MnCl2+Cl2↑+2H2O
请回答下列问题:
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(2)装置E中h瓶收集到的粗产物可通过酒精(类似多次蒸馏)得到高纯度四氯化硅,精馏后的残留物中,除铁元素外可能还含有的杂质元素是Al、P(填写元素符号).

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