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    已知砷元素（As）的原子序数为33，下列叙述正确的是（）。
    A.砷元素的最高正化合价为+3
    B.砷元素是第4周期的主族元素 
    C.砷原子的第K电子层上有8个电子
    D.砷的氧化物的水溶液呈强碱性

    B
    【试题分析】
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    科目：高中化学 来源： 题型：

    （1）随着人们生活质量的提高，不仅室外的环境安全为人们所重视，室内的环境安全和食品安全也越来越为人们所关注．甲醛（CH2O）是室内主要空气污染物之一（其沸点是-19.5℃），甲醇是“假酒”中的主要有害物质（其沸点是64.65℃），甲醇的沸点明显高于甲醛的主要原因是
    甲醇分子间存在氢键，而甲醛没有
    甲醇分子间存在氢键，而甲醛没有
    ；甲醛分子中C的杂化方式为
    sp2
    sp2
    ，分子中共有
    1
    1
    个π键．
    （2）砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转化为光能． 已知砷化镓的晶胞结构如右图．是回答下列问题：
    ①下列说法正确的是
    BCD
    BCD
    （选填序号）
    A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同    B．第一电离能：As＞Ga  
    C．电负性：As＞Ga              D．砷和镓都属于p区元素
    ②Ga的核外电子排布式为
    1s22s22p63s23p63d104S24P1
    1s22s22p63s23p63d104S24P1
    ．

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    已知砷（As）元素原子的最外层电子排布是 4s24p3．在元素周期表里，砷元素位于第
    四
    四
    周期第
    ⅤA
    ⅤA
    族，最高价氧化物的化学式是
    As2O5
    As2O5
    ，砷酸钠的化学式是
    Na3AsO4
    Na3AsO4
    ．砷酸钠在酸性条件下能把碘化钾氧化为单质碘，同时生成亚砷酸钠（Na3AsO3）和水，该反应的离子方程式为
    AsO43-+2I-+2H+═AsO33-+H2O+I2
    AsO43-+2I-+2H+═AsO33-+H2O+I2
    ．

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    （2013?无锡一模）[物质结构与性质]
    镓（Ga）、锗（Ge）、砷（As）、硒（Se）均为第4周期的元素，它们在高科技尖端科学特别是信息领域有着广泛的用途．已知砷化镓的晶胞结构如图．试回答下列问题：
    （1）下列说法不正确的是
    AB
    AB
    （填字母）．
    A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同
    B．第一电离能：Se＞As＞Ge＞Ga
    C．镓、锗、砷、硒都属于p区元素
    D．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
    （2）砷化镓是将（CH3）3Ga和AsH3反应制备得到，该反应在700℃进行，反应的方程式为
    （CH3）3Ga+AsH3
    700℃
    GaAs+3CH4
    （CH3）3Ga+AsH3
    700℃
    GaAs+3CH4
    ，AsH3空间形状为
    三角锥型
    三角锥型
    ．
    （3）Ge的核外电子排布式为
    1s22s22p63s23p63d104s24p2
    1s22s22p63s23p63d104s24p2
    ，H2Se中硒原子的杂化方式为
    sp3
    sp3
    ．
    （4）AsH3沸点比NH3低，其原因是
    NH3分子间能形成氢键，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键
    NH3分子间能形成氢键，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键
    ．

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    精英家教网（1）随着人们生活质量的提高，不仅室外的环境安全为人们所重视，室内的环境安全和食品安全也越来越为人们所关注．甲醛是室内主要空气污染物之一（其沸点是-19.5
    ℃），甲醇是“假酒”中的主要有害物质（其沸点是64.65℃），甲醇的沸点明显高于甲醛的主要原因是
     
    ；甲醛分子中C的杂化方式为
     
    ，分子中共有
     
    个π键．
    （2）砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转化为光能．已知砷化镓的晶胞结构如图．回答下列问题：
    ①下列说法正确的是
     
    （选填序号）
    A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同
    B．第一电离能：As＞Ga
    C．电负性：As＞Ga
    D．砷和镓都属于p区元素
    ②Ga的核外电子排布式为
     
    ；
    ③砷化镓是将（CH3）3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到，该反应在700℃进行，反应的方程式为
     
    ； （CH3）3Ga中碳镓键之间键角为
     
    ．

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