Question

【题目】请回答下列问题：
（1）N、Al、Si、Zn四种元素中，有一种元素的电离能数据如下：

电离能 I1 I2 I3 I4 …

In/kJ．mol﹣1 578 1817 2745 11578 …

则该元素是（填写元素符号）．
（2）基态锗（Ge）原子的电子排布式是 ． Ge的最高价氯化物分子式是 ． 该元素可能的性质或应用有 ．
A．是一种活泼的金属元素 B．其电负性大于硫 C．其单质可作为半导体材料 D．其最高价氯化物的沸点低于其溴化物的沸点
（3）关于化合物 ， 下列叙述正确的有 ．
A.分子间可形成氢键
B.分子中既有极性键又有非极性键
C.分子中有7个σ键和1个π键
D.该分子在水中的溶解度大于2﹣丁烯
（4）NaF的熔点 的熔点（填＞、=或＜），其原因是 ．

Answer 1

【答案】
（1）Al
（2）1s22s22p63s23p63d104s24p2；GeCl4；CD
（3）B,D
（4）＞；两者均为离子化合物，且电荷数均为1，但后者离子半径大，离子键较弱，因此熔点较低
【解析】解：（1）从表中原子的第一至第四电离能可以看出，元素的第一、第二、第三电离能都较小，可失去3个电子，最高化合价为+3价，即最外层应有3个电子，应为铝元素，所以答案是：Al；（2）锗是32号元素，核外有32个电子，基态锗（Ge）原子原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p2 ，
所以答案是：1s22s22p63s23p63d104s24p2；
Ge的最高价为+4价，氯化物分子式是GeCl4；
所以答案是：GeCl4；
A．Ge是一种金属元素，但最外层电子数为4，金属性不强，故A错误；
B．硫的其电负性大于硅，硅的电负性大于锗，所以锗的电负性小于硫，故B错误；
C．锗单质是一种半导体材料，故C正确；
D．氯化锗和溴化锗都是分子晶体，但氯化锗的相对分子质量小于溴化锗，所以氯化锗沸点低于溴化锗的沸点，
故选：CD；（3）A．分子中不存在与电负性强的元素相连的氢原子，所以不存在氢键，故A错误；
B．分子中碳碳键是非极性键，碳氢键、碳氧键是极性键，故B正确；
C．1个单键是1个σ键，一个双键是1个σ键和1个π键，所以分子中有9个σ键和3个π键，故C错误；
D．根据醛基比甲基更溶于水，所以分子中两个甲基被醛基取代，溶解度增大，故D正确；
故选：BD；（4）两者均为离子化合物，且电荷数均为1，但后者离子半径大，离子键较弱，因此熔点较低，
所以答案是：＞；两者均为离子化合物，且电荷数均为1，但后者离子半径大，离子键较弱，因此熔点较低．