Ga As是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga、As分别位于元素周期表的第ⅢA族、第VA族。

（1）Ga原子和As原子最外层的电子数分别是多少？

（2）Ga、As中Ga和As的化合价分别是多少？

（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成与GaAs类似的化合物，该化合物也能用作半导体材料。试推断该化合物的化学式。

周期表前20号元素中，某两种元素的原子序数相差3，周期数相差1，它们形成化合物时原子数之比为1∶2。写出这些化合物的化学式________________。

下表是元素周期表的一部分，表中所列的字母分别代表某一化学元素。

（1）表中所列元素中：

属于短周期元素的有_______；

属于主族元素的有_______；

e元素在元素周期表中的位置是_______周期,_______族。

（2）下列_______组元素的单质可能都是电的良导体。

A. a，c，h

B. b，g，k

C. c，h，l

D. d，e，f

（3）将元素a，c，d，f，l，b的原子半径按从小到大的顺序排列：_______。

（4）i元素属于_______（填“金属”或“非金属”）元素，它的最离化合价是_______，最低化合价是_______。它能与氧气反应，生成一种吸水性很强的物质，这种物质在实验室里常用作干燥剂，写出它与氧气反应的化学方程式：________。

如下图所示，已知A元素的最低化合价为-3价，它的最高价氧化物含氧56.34％，原子核内中子数比质子数多一个。试回答：

（1）写出它们的元素符号：

A_______，B_______，C_______，D_______，E_______。

（2）它们的气态氢化物稳定性最小的是_______。

（3）A、B、G三元素最高价氧化物对应水化物的酸性由强到弱的顺序是。

X、Y、Z、W四种主族元素，若

（1）X的阳离子与Y的阳离子具有相同的电子层结构。

（2）W伪阳离子韵氧化性强于同主族带等龟荷的X的阳离子的氧化性。

（3）

Z的阴离子半径大事民主族带等电荷的Y的阴离子半径。则这几种元素的原子序数， 由大到小的顺序为________。