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(2005?山东)图1中B为电源,电动势ε=27V,内阻不计.固定电阻R1=500Ω,R2为光敏电阻.C为平行板电容器,虚线到两极板距离相等,极板长l1=8.0×10-2 m,两极板的间距d=1.0×10-2m.S为屏,与极板垂直,到极板的距离l2=0.16m.P为一圆盘,由形状相同、透光率不同的三个扇形a、b和c构成,它可绕AA′轴转动.当细光束通过扇形a、b、c照射光敏电阻R2时,R2的阻值分别为1000Ω、2000Ω、4500Ω.有一细电子束沿图中虚线以速度v0=8.0×106m/s连续不断地射入C.已知电子电量e=1.6×10-19C,电子质量m=9×10-31kg.忽略细光束的宽度、电容器的充电放电时间及电子所受的重力.假设照在R2上的光强发生变化时R2阻值立即有相应的改变.
(1)设圆盘不转动,细光束通过b照射到R2上,求电子到达屏S上时,它离O点的距离y (计算结果保留二位有效数字).
(2)设转盘按图1中箭头方向匀速转动,每3秒转一圈.取光束照在a、b分界处时t=0,试在图给出的坐标纸上,画出电子到达屏S上时,它离O点的距离y随时间t的变化图线(0-6s间).要求在y轴上标出图线最高点与最低点的值.(不要求写出计算过程,只按画出的图线评分.)
分析:(1)由电路图可知,两电阻串联,电容器与R1并联,则电容器两端的电势差即为R1两端的电压;由闭合电路欧姆定律可求得电势差,可求得粒子的偏转加速度,由水平距离可求得时间,则由位移公式可求得偏转位移,判断粒子能否飞出极板,若能飞出,飞出后粒子做匀速直线运动,由运动的合成与分解知识可求得粒子在竖直方向上的分量,则可求得粒子在竖直方向总的偏转位移;
(2)因(1)问中得出了在电场中偏转位移及在电场之外部分偏转位移的表达式,故将R1的不同值代入,即可求得最后的偏转位移,则可得出位移图象.
解答:解:(1)设电容器C两板间的电压为U,电场强度大小为E,电子在极板间穿行时y方向上的加速度大小为a,穿过C的时间为t1,穿出时电子偏转的距离为y1
由闭合电路欧姆定律可得:I=
E
R1+R2

U=IR1
解得:U=
εR1
R1+R2
(1)
E=
U
d
(2)
eE=ma    (3)
t1=
l1
v0
(4)
y1=
1
2
at12
(5)
由以上各式得y1=
2m
v
2
0
(
R1
R1+R2
)
l
2
1
d
(6)
代入数据得
y1=4.8×10-3m   (7)
由此可见y1
d
2
,电子可通过C.
设电子从C穿出时,沿y方向的速度为v,穿出后到达屏S所经历的时间为t2,在此时间内电子在y方向移动的距离为了y2
v=at1     (8)t2=
l2
v0
(9)
y2=vt2    (10)
由以上有关各式得
y2=
m
v
2
0
(
R1
R1+R2
)
l1l2
d
(11)代入数据得
y2=1.92×10-2m   (12)
由题意y=y1+y2=2.4×10-2m  ( 13)
(2)由式6可求得在a和c时粒子在电场中的偏转位移,则可知当光照a时,电子打在极板上,无粒子打在屏中;
当光照在c上时,由式6、11和13可求得粒子在屏上偏转的距离,故答案如图所示.
点评:本题中因第二问中的计算全是重复第一小问的过程,故不要求再列出计算过程,只要能将第一问中的结果用电阻表示出来,则只需代入数据即可求出;因此我们在物理学习中要注意中间尽量不要代入数据,应是根据公式解出最后的表达式后再代数计算.
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