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【题目】如图所示,在水平地面上的A点以v1速度跟地面成θ角射出一弹丸,恰好以v2的速度垂直穿入竖直壁上的小孔B,下面说法正确的是( )

A. B点以跟v2大小相等的速度,跟v2方向相反射出弹丸,它必定落在地面上的A

B. B点以跟v1大小相等的速度,跟v2方向相反射出弹丸,它必定落在地面上的A

C. B点以跟v1大小相等的速度,跟v2方向相反射出弹丸,它必定落在地面上A点的左侧

D. B点以跟v1大小相等的速度,跟v2方向相反射出弹丸,它必定落在地面上A点的右侧

【答案】AC

【解析】试题分析:弹丸恰好以速度v2垂直穿入竖直墙壁上的小孔B,逆过来看,为平抛运动,所以在B点以跟v2大小相等、方向相反的速度射出弹丸,它必定落在地面上的A点.故A正确.从BA为平抛运动,所以v1大小大于v2大小,所以在B点以跟v1大小相等、跟v2方向相反的速度,射出弹丸,平抛运动的水平位移会增大,它必定落在地面上A点的左侧.故C正确,BD错误.故选AC

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【题目】半导体内导电的粒子——“载流子有两种:自由电子和空穴(空穴可视为能自由移动带正电的粒子),以空穴导电为主的半导体叫P型半导体,以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图,图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中,磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时,会产生霍尔电势差U,若每个载流子所带电量的绝对值为e,下列说法中正确的是

A. 如果上表面电势高,则该半导体为P型半导体

B. 如果上表面电势高,则该半导体为N型半导体

C. 其它条件不变,增大c时,U增大

D. 其它条件不变,电流I取值越大,电势差U越大

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【题目】在做“研究平抛运动”的实验时:

1)研究平抛运动,下面哪些做法可以减小实验误差______

A.使用密度大、体积小的钢球

B.尽量减小钢球与斜槽间的摩擦

C.实验时,让小球每次都从同一高度由静止开始滚下

D.使斜槽末端的切线保持水平

(2)如图所示为一小球做平抛运动的闪光照片的一部分,图中背景方格的边长均为L=5 cm,如果g10 m/s2,那么:

①闪光频率为____________Hz

②小球运动中水平分速度的大小是_______m/s

③小球经过B点时的速度大小是___________m/s

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B. 一定做直线运动

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(1)小球所受重力和电场力的大小

(2)小球脱离轨道后到达最高点时的动能

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【题目】一滑块以一定的初速度从一固定斜面的底端向上冲,到斜面上某一点后返回底端,斜面粗糙.下列四幅图像分别表示滑块运动过程中位移x、速度v、动能Ek和重力势能Ep(以斜面底端为参考平面)随时间变化的关系图像,其中正确的是

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【题目】如图所示,有一矩形线圈的面积为S,匝数为N,绕OO′轴在磁感应强度为B的匀强磁场中以角速度匀速转动时,通过滑动触头P上下移动时可改变输出电压,副线圈接有定值电阻R,从图示位置开始计时,下列判断正确的是  

A. 当变压器的变压比为n时,电流表测得的是电流最大值,其值为

B. 感应电动势的瞬时值表达式为

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D. P向上移动时,电流表示数变小

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【题目】如图,一半径为R、粗糙程度处处相同的半圆形轨道竖直固定放置,直径POQ水平。一质量为m的质点自P点上方高度R处由静止开始下落,恰好从P点进入轨道。质点滑到轨道最低点N时,对轨道的压力为4mg,g为重力加速度的大小。用W表示质点从P点运动到N点的过程中克服摩擦力所做的功。则

A ,质点恰好可以到达Q点

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C ,质点到达Q点后,继续上升一段距离

D ,质点到达Q点后,继续上升一段距离

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【题目】A、B、C为直角三角形的三个顶点,∠ACB为直角,点电荷qAqB分别位于三角形斜边的两端,已知qA<qB,电性如图所示,取无穷远处的电势为零。若C点的电场强度为E,电势为,电荷A产生的电场在C点的场强大小为EA。下列说法中正确的是

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B. 线段AB上有一个电势为零的点

C. 电荷BC点产生的电场场强大小为E-EA

D. 将电量为q(q>0)的点电荷从C点移到无穷远处,电场力做的功为q

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