分析 (1)小球在第二象限内做类平抛运动,结合牛顿第二定律和运动学公式求出电场强度的大小.
(2)根据类平抛运动的规律求出经过M点的速度,作出粒子在磁场中的临界运动轨迹,结合几何关系和半径公式求出磁感应强度的最小值.
(3)根据半径公式和周期公式求出粒子在磁场中运动的轨道半径和周期,由磁场的周期得出小球在磁场中运动的轨迹图,以及得出在一个磁场周期内小球在x轴方向的位移,判断能否打在平板C3上,若能打在平板C3上,通过几何关系求出其轨迹与平板C3间的最短距离.
解答 解:(1)小球在第Ⅱ象限内做类平抛运动有:
v0t=s
at=v0tanθ
由牛顿第二定律有:qE=ma
代入据解得:E=$2\sqrt{2}N/C$.
(2)设小球通过M点时的速度为v,由类平抛运动规律有:$v=\frac{{v}_{0}}{sinθ}$=$\frac{2\sqrt{2}}{\frac{\sqrt{2}}{2}}m/s$=4m/s,
小球垂直磁场方向进入两板间做匀速圆周运动,轨迹如图,由牛顿第二定律有:
$qvB=m\frac{{v}^{2}}{R}$,
得:B=$\frac{mv}{qR}$
小球刚好不与C2板相碰时磁感应强度最小设为B2,此时粒子的轨迹半径为R2,由几何关系有:
R2=d1,
代入数据解得:${B}_{2}=\frac{1}{3}T$.
(3)小球进入磁场做匀速圆周运动,设半径为为R3,周期为T有:
${R}_{3}=\frac{mv}{q{B}_{3}}$,
代入数据解得:R3=0.09m.
$T=\frac{2π{R}_{3}}{v}$,
代入数据解得:T=$\frac{9π}{200}$.
由磁场周期${T}_{0}=\frac{2}{3}T$得小球在磁场中运动的轨迹如图
可得:一个磁场周期内小球在x轴方向的位移为3R3
由分析知有:l1=(3n+2)R3,n=2
则小球能打在平板C3上,设位置到Q点距离为h有:
h=2(n+1)R3cosβ-R3,
解得:h=$3\sqrt{3}{R}_{3}-{R}_{3}$=0.38m.
答:(1)匀强电场的场强大小为$2\sqrt{2}N/C$;
(2)磁感应强度B的最小值为$\frac{1}{3}$T;
(3)小球能打在平板C3上,轨迹与平板C3间的最短距离为0.38m.
点评 本题关键是明确粒子的运动规律、画出运动轨迹,然后结合牛顿第二定律、类似平抛运动的分位移公式和几何关系列式求解,难度较大.
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A. | t=1 s时,质点在x=2 m的位置 | |
B. | t=1 s和t=5 s时,质点的速率相等 | |
C. | t=1 s和t=5 s时,质点加速度的方向相反 | |
D. | 前5 s内,合外力对质点做正功 |
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