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    如图所示，匀强磁场区域宽度为L，使一边长为d(d＞L)的矩形线框以恒定速度v向右通过磁场区域，该过程中没有感应电流的时间为

    [　　]

    A．
    B．
    C．
    D．
    答案：C
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    科目：高中物理 来源： 题型：

    在方向如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区，则（　　）

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    在方向如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区，则（　　）

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    （2012?长宁区一模）如图所示，匀强磁场磁感应强度 B=0.2T，磁场宽度 L=0.3m，一正方形金属框边长 ab=0.1m，每边电阻R=0.2Ω，金属框在拉力F作用下以v=10m/s的速度匀速穿过磁场区，其平面始终保持与磁感线方向垂直．求：
    （1）画出金属框穿过磁场区的过程中，金属框内感应电流i和a、b两端电压Uab随时间t的变化图线（规定以adcba为正方向）；
    （2）金属框穿过磁场区域的过程中，拉力F做的功；
    （3）金属框穿过磁场区域的过程中，导线ab上所产生的热量．

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    精英家教网在如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）正交的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区，则（　　）
    A、若v0＞
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度v＞v0
    B、若v0＞
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度v＜v0
    C、若υ0＜
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度υ＞υ0
    D、若υ0＜
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度υ＜υ0

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    精英家教网在方向如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0 射入场区，则（　　）
    A、若v0＞
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度v＞v0
    B、若v0＞
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度v＜v0
    C、若v0＜
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅰ运动，射出场区时，速度v＜v0
    D、若v0＜
    E
    B
    ，电子沿轨迹Ⅱ运动，射出场区时，速度v＜v0

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