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    （2008?上海）平行于y轴的导体棒以速度v向右做匀速直线运动，经过半径为R、磁感应强度为B的圆形匀强磁场区域，导体棒中的感应电动势E与导体棒位置x关系的图象是下图中的（　　）
    分析：导体棒向右运动时，切割磁感线，产生感应电动势，注意根据几何关系求有效切割长度．
    解答：解析：当导体棒运动到图示位置时，其坐标值为x，则导体棒切割磁感线的有效长度为：
    L=2
    		R2-(R-x)2

    所以：E=BLv=2B
    		R2-(R-x)2
    v= 2Bv
    		2Rx-x2
    ，根据数学知识可知，BCD错误，A正确．
    故A正确．
    点评：本题考查了电磁感应与图象的结合，对于复杂图象问题注意依据物理规律写出两坐标轴之间的函数关系．
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    科目：高中物理 来源： 题型：

    （2008?上海）如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II，两电场的边界均是边长为L的正方形（不计电子所受重力）．
    （1）在该区域AB边的中点处由静止释放电子，求电子离开ABCD区域的位置．
    （2）在电场I区域内适当位置由静止释放电子，电子恰能从ABCD区域左下角D处离开，求所有释放点的位置．
    （3）若将左侧电场II整体水平向右移动
    Ln
    （n≥1），仍使电子从ABCD区域左下角D处离开（D不随电场移动），求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置．

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    （2008?上海模拟）如图a是研究小球在斜面上平抛运动的实验装置，每次将小球从弧型轨道同一位置静止释放，并逐渐改变斜面与水平地面之间的夹角θ，获得不同的射程x，最后作出了如图b所示的x-tanθ图象，则：

    （1）忽略一切阻力造成的影响，在该实验中，x与tanθ的理论关系应满足x=
    2
    v
    2
    0
    tanθ
    g
    2
    v
    2
    0
    tanθ
    g
     （用v0、g、θ表示）
    （2）由图b可知，小球在斜面顶端水平抛出时的初速度v0=
    1m/s
    1m/s
    ．实验中发现θ超过60°后，小球将不会掉落在斜面上，则斜面的长度为
    0.7
    0.7
    m．（g取10m/s2）

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    （2008年上海卷）如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II，两电场的边界均是边长为L的正方形（不计电子所受重力）.

    （1）在该区域AB边的中点处由静止释放电子，求电子离开ABCD区域的位置.

    （2）在电场I区域内适当位置由静止释放电子，电子恰能从ABCD区域左下角D处离开，求所有释放点的位置.

    （3）若将左侧电场II整体水平向右移动L/n（n≥1），仍使电子从ABCD区域左下角D处离开（D不随电场移动），求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置.

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    （2008年上海卷）如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II，两电场的边界均是边长为L的正方形（不计电子所受重力）.

    （1）在该区域AB边的中点处由静止释放电子，求电子离开ABCD区域的位置.

    （2）在电场I区域内适当位置由静止释放电子，电子恰能从ABCD区域左下角D处离开，求所有释放点的位置.

    （3）若将左侧电场II整体水平向右移动L/n（n≥1），仍使电子从ABCD区域左下角D处离开（D不随电场移动），求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置.

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    2008年（上海卷　物理）23．（12分）如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图。在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II，两电场的边界均是边长为L的正方形（不计电子所受重力）。

    （1）在该区域AB边的中点处由静止释放电子，求电子离开ABCD区域的位置。

    （2）在电场I区域内适当位置由静止释放电子，电子恰能从ABCD区域左下角D处离开，求所有释放点的位置。

    （3）若将左侧电场II整体水平向右移动L/n（n≥1），仍使电子从ABCD区域左下角D处离开（D不随电场移动），求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置。


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