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霍尔式位移传感器的测量原理是:如图所示,有一个沿z轴方向的磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0,k均为常数),将传感器固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图中箭头所示).当物体沿z轴方向移动时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向上的上、下表面的电势差U也不同.则(  )
A.磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大
B.k越大,传感器灵敏度(
△U
△z
)越高
C.若图中霍尔元件是电子导电,则下板电势高
D.电流I取值越大,上、下表面的电势差U越小
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A、最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡,设霍尔元件的长宽高分别为a、b、c,有q
U
c
=qvB
,电流的微观表达式为I=nqvS=nqvbc,所以U=
BI
nqb
.B越大,上、下表面的电势差U越大.电流越大,上、下表面的电势差U越大.故A正确,D错误.
    B、k越大,根据磁感应强度B=B0+kz,知B随z的变化越大,根据U=
BI
nqb
.知,U随z的变化越大,即传感器灵敏度(
△U
△z
)越高.故B正确.
    C、霍尔元件中移动的是自由电子,根据左手定则,电子向下表面偏转,所以上表面电势高.故C错误.
故选AB.
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(2011?南通二模)霍尔式位移传感器的测量原理是:如图所示,有一个沿z轴方向的磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0,k均为常数),将传感器固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图中箭头所示).当物体沿z轴方向移动时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向上的上、下表面的电势差U也不同.则(  )

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A、传感器灵敏度
△U
△z
与上、下表面的距离有关
B、当物体沿z轴方向移动时,上、下表面的电势差U变小
C、传感器灵敏度
△U
△z
与通过的电流有关
D、若图中霍尔元件是电子导电,则下板电势高

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精英家教网霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,磁场方向沿x轴正方向,磁感应强度B随x的变化关系为B=B0+kx(B0、k均为大于零的常数).薄形霍尔元件的工作面垂直于光轴,通过的电流I方向沿z轴负方向,霍尔元件沿x轴正方向以速度v匀速运动. 要使元件上、下表面产生的电势差变化得快,可以采取的方法是(  )
A、增大 IB、增大B0C、减小kD、减小v

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A、磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大B、霍尔元件运动的速度越大,上、下表面的电势差越大C、若图中霍尔元件是电子导电,则下板电势高D、电流I取值越大,上、下表面的电势差U越小

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