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    如图所示，宽为d的有界匀强磁场竖直向下穿过光滑的水平桌面，一质量为m的矩形导体框平放在桌面上，矩形导体框的长边（长为L）平行磁场边界，短边长度小于d  。 现给导体框一个初速度v0 (v0垂直磁场边界)，导体框全部位于磁场中时的速度为v，导体框全部出磁场后的速度为 v1（v1≠0）；导体框进入磁场过程中产生的焦耳热为Q1 ，导体框离开磁场过程中产生的焦耳热为 Q2 。下列说法正确的是   （   ）

    A．导体框离开磁场过程中，感应电流的方向为逆时针方向

    B．v = ( v0+ v1 )

    C. Q2  = 2 Q1

    D. Q1 + Q2= m v02

     

    B

    解析:略

     

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图所示，宽为d的有界匀强磁场的边界为PP′、QQ′，一个质量为m、电荷量为q的微观粒子沿图示方向以速度V0垂直射入磁场，磁感应强度为B，要使粒子不能从边界QQ′射出，粒子的入射速度V0的最大值可能是下面给出的（　　） 
    ①Bqd/m  ②2qBd/m  ③2qBd/3m  ④qBd/3m．

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    科目：高中物理 来源： 题型：013

    如图所示，宽为d的有界匀强磁场的边界为PP′、QQ′，一个质量为m、电荷量为q的微观粒子沿图示方向以速度v0垂直射入磁场，磁感应强度为B．要使粒子不能从边界QQ′射出，粒子的入射速度v0的最大值可能是下面给出的[　]

    ①Bqd/m　　②2qBd/m　　③2qBd/3m　　④qBd/3m

    A．①②　　　　　　　　　　　　　　　　    B．②③

    C．③④　　　　　　　　　　　　　　　　    D．②④

     

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    科目：高中物理 来源：物理教研室 题型：013

    如图所示，宽为d的有界匀强磁场的边界为PP′、QQ′，一个质量为m、电荷量为q的微观粒子沿图示方向以速度v0垂直射入磁场，磁感应强度为B．要使粒子不能从边界QQ′射出，粒子的入射速度v0的最大值可能是下面给出的[　]

    ①Bqd/m　　②2qBd/m　　③2qBd/3m　　④qBd/3m

    A．①②　　　　　　　　　　　　　　　　    B．②③

    C．③④　　　　　　　　　　　　　　　　    D．②④

     

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    科目：高中物理 来源：2012届广西桂林十八中高二下学期期中考试理科物理试题 题型：选择题

    如图所示，宽为d的有界匀强磁场竖直向下穿过光滑的水平桌面，一质量为m的矩形导体框平放在桌面上，矩形导体框的长边（长为L）平行磁场边界，短边长度小于d  。 现给导体框一个初速度v0 (v0垂直磁场边界)，导体框全部位于磁场中时的速度为v，导体框全部出磁场后的速度为 v1（v1≠0）；导体框进入磁场过程中产生的焦耳热为Q1 ，导体框离开磁场过程中产生的焦耳热为 Q2 。下列说法正确的是   （   ）

    A．导体框离开磁场过程中，感应电流的方向为逆时针方向

    B．v = ( v0+ v1 )

    C. Q2  = 2 Q1

    D. Q1 + Q2= m v02

     

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