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17.关于静电场的电场强度和电势,下列说法正确的是(  )
A.电场强度为零的地方,电势也为零
B.电势降落的方向就是电场强度的方向
C.随着电场强度的大小逐渐减小,电势也逐渐降低
D.电场强度的方向处处与等势面垂直

分析 电场强度的大小与电势的大小无必然联系,沿着电场线方向电势逐渐降低,电势降低的方向不一定是电场强度的方向.

解答 解:A、电场强度为零,电势不一定为零,比如等量同种电荷连线的中点,电场强度为零,电势不为零.故A错误.
B、沿着电场线的方向电势逐渐降低,但是电势降低的方向不一定是电场强度的方向,应该是电势降低最快的方向为电场强度的方向.故B错误.
C、电势与电场强度没有关系.故C错误.
D、等势面的电势处处相等,因此电场强度的方向处处与等势面垂直.故D正确.
故选:D.

点评 本题就是考查学生基础知识的掌握,加强基础知识的学习,掌握住电场线的特点,即可解决本题.

练习册系列答案
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科目:高中物理 来源: 题型:选择题

7.下列关于电磁感应的说法正确的是(  )
A.只要闭合导体回路与磁场发生相对运动,闭合导体回路内就一定产生感应电流
B.只要导体在磁场中发生相对运动,导体两端就一定会产生电势差
C.穿过导体回路的磁通量变化量越大,感应电动势越大
D.穿过导体回路的磁通量变化越快,感应电动势越大

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科目:高中物理 来源: 题型:解答题

8.某同学想通过“描绘小灯泡的伏安特性曲线”的方法来测量一小灯泡的额定功率.所用器材如下:
待测小灯泡一只:额定电压为2.5V,电阻约为10Ω
电压表一只:量程为3V,内阻约为5kΩ
电流表一只:量程为0.6A,内阻约为0.1Ω
滑动变阻器一只
干电池两节
开关一只,导线若干

①请在图甲中补全测量小灯泡额定功率的电路图.
②图甲中开关S闭合之前,滑动变阻器的滑片应置于B(选填“A端”、“B端”或“AB正中间”);
③该同学通过实验得到了小灯泡的伏安特性曲线如图乙所示.小灯泡的额定功率是0.52W;小灯泡在额定功率时的电阻为12Ω.(结果均保留两位有效数字)

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科目:高中物理 来源: 题型:选择题

5.下列各图中,电场线描绘正确的是(  )
A.
正点电荷
B.
负点电荷
C.
等量异种点电荷
D.
等量同种点电荷

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科目:高中物理 来源: 题型:选择题

12.伽利略的斜面实验反映了一个重要事实:如果空气阻力和摩擦力小到可以忽略不计,小球一旦沿斜面A由静止滚落,必将准确地终止于斜面B上同它开始点相同的高度处,绝不会更高一点,这说明,小球在运动过程中有一个“东西”是不变的,这个“东西”是(  )
A.弹力B.速度C.能量D.动能

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科目:高中物理 来源: 题型:多选题

2.以下说法正确的是(  )
A.气体分子单位时间内与单位面积器壁碰撞的次数,与单位体积内的分子数及气体分子的平均动能都有关
B.功可以全部转化为势,但热量不能全部转化为功
C.知道水蒸气的摩尔体积和水分子的体积,不能计算出阿伏加德罗常数
D.将一个分子从无穷远处无限靠近另一个分子,则这两个分子间的分子先增大后减小最后再增大
E.布朗运动反映了固体小颗粒内分子的无规则运动

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科目:高中物理 来源: 题型:解答题

9.如图所示,为一磁约速装置的原理图,圆心为O,半径为R1的圆形区域Ⅰ内有方向垂直xoy平面向外、大小为B0的匀强磁场,环形区域Ⅱ有垂直于xoy平面向里、大小未知的匀强磁场,现有一质量为m、电量为q的带负电粒子以v0=$\frac{q{B}_{0}{R}_{1}}{m}$的速度从A点沿y轴负方向射入磁场区域Ⅰ,然后经x轴上的P点进入环形磁场区域Ⅱ,且恰好不出区域Ⅱ的外边界,偏转后第1次射回区域Ⅰ时经边界上的Q点,已知OQ与x轴正方向成60°,不计重力粒子间的相互作用.求
(1)粒子在区域Ⅰ中运动轨道半径及经P点时的速度方向;
(2)磁场区域Ⅱ的磁感应强度大小及外边界的半径.

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科目:高中物理 来源: 题型:多选题

6.关于放射性,下列说法正确的有(  )
A.放射性同位素可作为示踪原子用于疾病的诊断
B.${\;}_{15}^{30}$P是人造的放射性同位素,所以运用物理方法可改变它的半衰期
C.贫铀炸弹的残留物有放射性,对环境有长期的危害主要是因为铀的半衰期短
D.用γ射线照射食品,可以杀死使食物腐败的细菌,延长保质期

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科目:高中物理 来源: 题型:选择题

7.我国女运动员韦永丽在仁川亚运会赢得2金1银的好成绩.如图所示为田径运动场400m跑道示意图,可视为由两个半圆弧及两条长度均为100m的直线组成.在她参加的100m和200m的比赛中,100m比赛起点在A处,200m比赛起点在B处,终点均在C处,她的100m成绩为11.5s,200m成绩为23.3s,下列说法正确的是(  )
A.200m比赛的位移是100m比赛的两倍B.200m比赛的路程是100m比赛的两倍
C.100m比赛冲刺时的速度为8.7m/sD.200m比赛的平均速度为8.6m/s

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同步练习册答案