如图甲所示,abcd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ab.cd接触良好,回路的总电阻为R;整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中.磁场的磁感应强度变化情况如图乙所示,PQ始终静止.关于PQ与ab.cd间摩擦力f在0到t1 s内的变化情况的说法中,有可能正确的是A．f一直增大B．f一直减小C．f先减小后增大D．f先增大后减小题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

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如图甲所示,abcd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的总电阻为R;整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中.磁场的磁感应强度变化情况如图乙所示,PQ始终静止.关于PQ与ab、cd间摩擦力f在0到t1 s内的变化情况的说法中,有可能正确的是( )

A．f一直增大

B．f一直减小

C．f先减小后增大

D．f先增大后减小

由i=

S/R=kS/R(k为图线斜率)可知,在0—t1时间内,i的大小恒定,且F安=Btil先减小后增大.在B正向减小的过程中,PQ棒受安培力沿斜面向上且逐渐减小,如图(a),在B反向增大的过程中,PQ棒受安培力沿斜面向下且逐渐增大,如图(b).前一种情况中PQ棒受静摩擦力可能随F安减小而逐渐减小(当f静沿斜面向下时),也可能随F安减小而逐渐增大(当f静沿斜面向上时).后一种情况PQ棒受静摩擦力随安培力增大而逐渐增大(f静方向一定沿斜面向上).故正确选项为AC.

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如图所示，光滑平行的水平金属导轨MNPQ相距l，在M点和P点间接一个阻值为R的电阻，在两导轨间矩形区域内有垂直导轨平面竖直向下、宽为d的匀强磁场，磁感强度为B。一质量为m，电阻为r的导体棒ab，垂直搁在导轨上，与磁场左边界相距d₀。现用一大小为F、水平向右的恒力拉ab棒，使它由静止开始运动，棒ab在离开磁场前已经做匀速直线运动（棒ab与导轨始终保持良好的接触，导轨电阻不计）。求：
（1）棒ab在离开磁场右边界时的速度；
（2）棒ab通过磁场区的过程中整个回路所消耗的电能；
（3）试分析讨论ab棒在磁场中可能的运动情况。

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，流过灯泡A的电流为

，且

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如图甲，正方形线框处在垂直线框平面的匀强磁场中，现使磁感应按余弦规律变化，如图乙所示，磁场方向及感应电流的方向按图甲所示方向为正，则下列说法正确的是（）
A t=0时刻，线框各边均不受磁场的安培力
B t=t₁时刻，线框中的磁通量最大，感应电流为0
C t=t₂时刻，线框中感应电流方向为正
D t₃—t₄时间内，线框中的电流方向为正，且正在减弱。