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如图1所示,虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd,以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动,经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L,甲、乙两位同学对该过程进行了分析,当线框的ab边与MN重合时记为t=0,分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线,如图2、图3所示,图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系,下列说法正确的是

A.图2正确,且S1>S2 B.图2正确,且S1=S2 
C.图3正确,且S3>S4 D.图3正确,且S3=S4 

D

解析试题分析:当线框向右运动过程中,有两个过程产生安培力,即进入磁场到完全进入磁场和离开磁场到完全离开磁场两个过程;其中任一过程产生的电动势为E=BvL,产生的电流为I=E/R=BLv/R,产生的安培力为F=BIL=B2L2v/R,当时间增加时,速度减小,则由上式可知,安培力减小,所以A、B选项错误;另一方面看,产生的平均电动势为:E=BΔs/Δt,产生的电流为:I="E/R=" BΔs/ΔtR,产生的安培力为:F=BIL=B2lΔs/RΔt;变形后得FΔt=B2lΔs/R,所以S3 =S4,则D选项正确。
考点:本题考查电磁感应和对F-t图像的理解。

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科目:高中物理 来源: 题型:单选题

如图所示,电路甲、乙中,电阻R和自感线圈L的电阻值都很小,接通S,使电路达到稳定,灯泡D发光。则  

A.在电路甲中,断开S,D将逐渐变暗
B.在电路乙中,断开S,D将渐渐变暗
C.在电路甲中,断开S,D将先变得亮,然后渐渐变暗
D.在电路乙中,断开S,D将变得更亮,然后渐渐变暗

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科目:高中物理 来源: 题型:单选题

对于扼流圈的以下说法,正确的是(   )

A.扼流圈是利用电感阻碍交变电流的作用制成的
B.低频扼流圈用来“通低频、阻高频”
C.高频扼流圈用来“通直流、阻交流”
D.高频扼流圈对低频交变电流阻碍作用减小,对高频交变电流阻碍作用很大

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科目:高中物理 来源: 题型:单选题

如图所示,一沿水平方向的匀强磁场分布在宽度为2L的某矩形区域内(长度足够大),该区域的上下边界MN、PS是水平的。有一边长为L的正方形导线框abcd从距离磁场上边界MN的某高处由静止释放下落而穿过该磁场区域,已知当线框的ab边到达MN时线框刚好做匀速直线运动,(以此时开始计时)以MN处为坐标原点,取如图坐标轴x,并规定逆时针方向为感应电流的正方向,则关于线框中的感应电流与ab边的位置坐标x间的以下图线中,可能正确的是

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科目:高中物理 来源: 题型:单选题

如图所示,A线框接一灵敏电流计,B线框放在匀强磁场中,B线框的电阻不计,具有一定电阻的导体棒可沿线框无摩擦滑动,今用恒力F向右拉CD由静止开始运动,B线框足够长,则通过电流计中的电流方向和大小变化是(       )

A.G中电流向下,强度逐渐减弱,最后为零
B.G中电流向上,强度逐渐减弱,最后为零
C.G中电流向下,强度逐渐增强,最后为某一定值
D.G中电流向上,强度逐渐增强,最后为某一定值

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科目:高中物理 来源: 题型:单选题

边长为a的闭合金属正三角形框架,完全处于垂直于框架平面的匀强磁场中,现把框架匀速拉出磁场,如图所示,则选项图中电动势、外力、外力功率与位移图象规律与这一过程相符合的是

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科目:高中物理 来源: 题型:单选题

如图所示,线圈两端与电阻相连构成闭合回路,在线圈上方有一竖直放置的条形磁铁,磁铁的N极朝下。在磁铁的N极向下靠近线圈的过程中

A.通过电阻的感应电流方向由a到b,线圈与磁铁相互排斥
B.通过电阻的感应电流方向由b到a,线圈与磁铁相互排斥
C.通过电阻的感应电流方向由a到b,线圈与磁铁相互吸引
D.通过电阻的感应电流方向由b到a,线圈与磁铁相互吸引

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科目:高中物理 来源: 题型:单选题

在如图所示的两平行虚线之间存在着垂直纸面向里、宽度为d、磁感应强度为B的匀强磁场,正方形线框abcd的边长为L(L<d)、质量为m、电阻为R。将线框从距离磁场的上边界为h高处由静止释放后,线框的ab边刚进入磁场时的速度为,ab边刚离开磁场时的速度也为,在线框开始进入到全部离开磁场的过程中

A.感应电流所做的功为mgd
B.感应电流所做的功为2mgd
C.线框的最小动能为
D.线框的最小动能为mg(h-d+L)

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科目:高中物理 来源: 题型:单选题

有一个垂直于纸面的匀强磁场,它的边界MN左侧为无场区,右侧是匀强磁场区域,如图(甲)所示,现让一个金属线框在纸平面内以垂直于MN的恒定速度从MN左侧进入匀强磁场区域,线框中的电流随时间变化的i-t图象如右图(乙)所示,则进入磁场区域的金属线框可能是下图的:

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